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investigation of hybrid microring lasers adhesively bonded on silicon wafer

Photonics Research 2015年第6期3卷 289-295页

作者： Shao-Shuai Sui Ming-Ying Tang Yue-De Yang Jin-Long Xiao Yun Du Yong-Zhen Huang The State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences

Thermal characteristics are numerically investigated for the hybrid AlGaInAs/InP on silicon microring lasers with different ring radii and widths. Low threshold current and low active region temperature rise are expected for a microring laser with a narrow ring width. Based on the thermal analysis and the 3D simulation for mode characteristics, a hybrid AlGaInAs/InP on silicon microring lasers with an inner n-electrode laterally confined by the p-electrode metallic layer is fabricated using an adhesive bonding technique. A threshold current of 4 mA is achieved for a hybrid microring laser with a radius of 20 μm and a ring width of 3.5 μm at 12°C, and the corresponding threshold current density is as low as 1 kA∕cm^2. The influence of the location of silicon waveguide on output performance is studied experimentally for improving the output coupling efficiency. Furthermore,continuous-wave electrically injected lasing up to 55°C is realized for a hybrid microring laser with a radiusof 30 μm and a ring width of 3 μm.

关键词： investigation of hybrid microring lasers adhesively bonded on silicon wafer InP mode

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