检索结果-南通市图书馆

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磁控溅射法制备inn薄膜的可控生长及表征

人工晶体学报 2018年第6期47卷 1123-1127页

作者：王箫扬张雄杨延宁贺琳张富春张水利李小敏延安大学物理与电子信息学院延安716000

为了开发氮化铟(inn)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了inn薄膜的制备。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的inn薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对inn薄膜结构、... 详细信息

为了开发氮化铟(inn)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了inn薄膜的制备。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的inn薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对inn薄膜结构、形貌的影响。结果表明:随着压强的增加,(101)峰的强度先增加后减小,晶面距离d先变小后变大且均获得三角锥形的inn薄膜;随着Ar与N2流量比的增加,inn薄膜的生长取向由沿(101)面变为沿(002)面生长且均获得三角锥状的inn晶粒;随着衬底温度的升高,inn薄膜的生长取向发生了变化且形貌逐渐由三角锥状向截面为六方的颗粒状结构转化。

关键词： inn薄膜磁控溅射压强流量比衬底温度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

inn薄膜的制备及三阶非线性光学性质研究

InN薄膜的制备及三阶非线性光学性质研究

作者：王金颖哈尔滨师范大学

学位级别：硕士

利用磁控溅射技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了inn薄膜。纯金属铟为靶材,溅射气体为Ar,反应气体为N2。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计等设备研究了溅射气压、反应气体流量和退火等因素对生长inn薄膜的结构、表面... 详细信息

利用磁控溅射技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了inn薄膜。纯金属铟为靶材,溅射气体为Ar,反应气体为N2。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计等设备研究了溅射气压、反应气体流量和退火等因素对生长inn薄膜的结构、表面形貌、吸收特性及光学带隙的影响。实验主要得出以下结果:(1)改变溅射气压实验条件的结果表明,制备的inn薄膜的晶体取向从(002)取向过渡到(101)取向;晶体形貌从球形颗粒向长条状的形貌转变;当溅射压强为1.0 Pa时,光学带隙为最小。(2)改变氮气流量比率实验条件的结果表明,制备的inn薄膜的晶体取向从(101)取向过渡为(002)择优取向;晶体形貌从球形和长条形共存的形貌向球形的形貌过渡;随着氮气流量比率的增加,发现inn薄膜的光学带隙变大。(3)纯N2制备的inn薄膜样品,随退火温度的升高,光学带隙值降低,结晶质量变好。(4)利用开孔和闭孔透射Z扫描实验,测试了光子能量大于薄膜带隙的纳秒脉冲激光作用下inn薄膜的非线性光学特性。计算了inn薄膜的非线性系数,表明制备的inn薄膜具有强烈的饱和吸收特性,表现为自聚焦特性。

关键词：反应磁控溅射 inn薄膜退火三阶非线性

氮气体积分数对ITO上制备inn薄膜物理特性的影响

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2020年第10期45卷 764-769页

作者：张子旭王婉君樊义棒高薇耿柏琳王辉赵洋河南科技大学物理工程学院河南省光电储能材料与应用重点实验室河南洛阳471023

采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备inn薄膜,研究了氮气体积分数对inn薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的inn薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,inn薄膜由沿(101)... 详细信息

采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备inn薄膜,研究了氮气体积分数对inn薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的inn薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,inn薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,inn薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的inn薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,inn薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4Ω·cm。该研究为inn在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考。

关键词：磁控溅射 inn薄膜氮气体积分数氧化铟锡(ITO) 物理特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaN薄膜和inn薄膜的阴极荧光研究

InGaN薄膜和InN薄膜的阴极荧光研究

作者：张曌南京大学

学位级别：硕士

Ⅲ族氮化物材料体系包括氮化镓(GaN),氮化铝(AlN),氮化铟(inn),及其三元合金(InGaN、AlGaN、Alinn)或四元合金(AlGainn),由于其优异的物理化学性能在光电信息领域有着广泛重要的应用。阴极荧光联合分析系统测量的谱图可以获得有关于材... 详细信息

Ⅲ族氮化物材料体系包括氮化镓(GaN),氮化铝(AlN),氮化铟(inn),及其三元合金(InGaN、AlGaN、Alinn)或四元合金(AlGainn),由于其优异的物理化学性能在光电信息领域有着广泛重要的应用。阴极荧光联合分析系统测量的谱图可以获得有关于材料组份以及禁带宽度等信息;在固定的发光波长测量样品,就可以获得阴极荧光的显微图像,与扫描电镜在同一微区获得的图像进行对比,可以鉴定出样品中的某些杂质或合金组份的表面形貌与空间分布状况的关系。本文主要利用场发射扫描电镜结合高性能阴极荧光联合分析系统(CL)的紫外可见光谱系统、SEM、XRD、EDS、AFM对使用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN薄膜材料进行测试分析。对InGaN薄膜及缺陷、InGaN薄膜相分凝进行了阴极荧光研究并且对inn薄膜的生长、表面形貌、发光性质进行了一定的探讨。主要内容及结果如下： 1.通过对InGaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了InGaN薄膜样品的生长温度和CL的发光波长及样品中In成分变化之间的关系,即随着薄膜生长温度的升高,InGaN薄膜中In含量随之降低,薄膜样品的禁带宽度随之增大并且InGaN薄膜的CL谱线的峰值波长产生了蓝移。使用CL Mapping对InGaN薄膜材料中出现的两种缺陷进行了发光研究,简单的探讨了这两种缺陷的生成机理。通过对InGaN薄膜材料进行同一位置的SEM图像和CLMapping的对比分析,发现了InGaN薄膜中出现的大尺寸V坑是从界面来的缺陷或者穿透位错造成的,直接贯穿了GaN、InGaN两层材料,对InGaN薄膜材料的发光没有贡献;发现小型V坑是由于热腐蚀造成的,虽然小型V坑对InGaN薄膜发光没有直接贡献,但是它的存在有利于周围的InGaN薄膜发光。 2.在探讨了InGaN薄膜中相分凝和InGaN量子点的关系之后,通过CL Mapping观测到了In富集量子点的发光;进一步研究了InGaN薄膜相分凝的发光,发现相分凝的发光随着InGaN薄膜样品生长温度的升高逐渐减弱至消失。认为InGaN薄膜发光是由InGaN材料自身发光和相分凝发光组成的,不同的表面形貌中材料自身发光和相分凝发光所占的比例不同;平坦区域的发光为InGaN材料自身发光,沟壑区域容易积累In原子形成相分凝区域从而产生发光。 3.通过对inn薄膜的生长结构的研究,发现inn薄膜的生长模式是由二维的平面生长转到三维的岛状生长;探讨了生长时间对inn薄膜晶体质量和表面形貌的影响;通过拉曼光谱仪研究证明所制备inn样品的等离子激元-LO声子耦合模较弱,通过对比和计算得到了inn样品的载流子浓度;在T=100k时使用阴极荧光联合分析系统对inn薄膜进行了的阴极荧光光谱测量,证实了inn薄膜的带隙在0.7eV附近。

关键词： Ⅲ族氮化物阴极荧光联合分析系统 InGaN薄膜缺陷相分凝 inn薄膜表面形貌载流子浓度

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

氮气流量对磁控溅射inn薄膜特性的影响

原子与分子物理学报 2021年第3期38卷 123-128页

作者：杨非凡付宏远樊义棒任煜豪李静杰赵洋甄志强王辉河南科技大学物理工程学院河南省光电储能材料与应用重点实验室洛阳471023

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了inn薄膜.研究了N2流量对inn薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,inn呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示inn薄膜均匀致密,低N2... 详细信息

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了inn薄膜.研究了N2流量对inn薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,inn呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示inn薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81~1.96 e V;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm^(2)/v·s;载流子浓度较高,保持在10^(21)cm^(-3)数量级;电阻率较小,范围是0.202~0.33 mΩ·cm.

关键词：磁控溅射 inn薄膜氮气流量原子排布

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究

半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究

作者：何伟强上海交通大学

学位级别：硕士

半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域,如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。非线性光学材料已持续多年是光学、新功能材料领域的热点课题。因此对半导体材料的非线性光学性质的研究有着实际的意义。 ... 详细信息

半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域,如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。非线性光学材料已持续多年是光学、新功能材料领域的热点课题。因此对半导体材料的非线性光学性质的研究有着实际的意义。 Z扫描技术作为一种高灵敏度、实验装置简单的测量手段,被广泛应用于研究半导体材料的非线性光学特性。本文首先简述了介质中基本三阶非线性光学过程,继而介绍了非线性光学材料的基本测量方法,即Z扫描技术,同时简单介绍了我们所用的实验装置及仪器。然后,用Z扫描技术分别讨论了半导体碲化锌（ZnTe）晶体及氮化铟（inn）薄膜的非线性光学特性。利用透射Z扫描实验系统,研究了ZnTe晶体在飞秒激光脉冲作用下的非线性光学性质。通过对（110）、（111）及（100）ZnTe晶体的非线性折射率的测量,发现不同晶体取向的晶体中非线性折射率差别很大,推测该差异主要源于晶体中二阶级联非线性效应的贡献,即晶体中THz辐射与线性电光效应共同作用产生的克尔型非线性（Kerr-like nonlinearity）效应。此外,根据晶体中THz辐射对入射激光偏振方向的依赖性,运用理论模型描述了三块晶体中非线性折射率随入射光偏振角的变化关系,从而进一步证明该克尔型非线性效应的

关键词： Z扫描技术非线性折射率非线性吸收系数 ZnTe晶体 inn薄膜

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化铟及氮化镓的制备及特性研究

氮化铟及氮化镓的制备及特性研究

作者：王福学山东师范大学

学位级别：硕士

inn是一种十分优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,inn的禁带宽度为0.7eV,由于在所有的Ⅲ族氮化物中,它具有最高的饱和电子漂移速度和电子渡越速度以及具有最小的有效电子质量。同时电子迁移率... 详细信息

inn是一种十分优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,inn的禁带宽度为0.7eV,由于在所有的Ⅲ族氮化物中,它具有最高的饱和电子漂移速度和电子渡越速度以及具有最小的有效电子质量。同时电子迁移率也比较高。因此,inn材料是理想的光电器件(如激光二极管、高效太阳能电池)、高频、大功率、高速电子器件。但是因为inn具有低的离解温度和大的氮气压,所以合成inn非常困难。最近几年,随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善,一些突破性技术的实现使inn材料的研究空前活跃,inn已经成为国际上最热门的研究材料之一。目前,磁控溅射法、金属有机气相沉淀(MOCVD)和分子束外延(MBE)等方法已经成为制备inn的主流工艺,其中MOCVD使用的最为广泛。采用上述方法制备inn,工艺复杂,设备昂贵,限制了inn材料的制备、生产和应用。现在,国际上有许多科研机构正在探索新的工艺方法,试图在合适的衬底上制备高质量的inn薄膜。本文中,用纯氧化铟粉末与高纯氨气在高温下直接反应制备氮化铟粉末,较系统的研究了氮化铟的最佳制备条件、结构及成分。研究了氮化铟粉末在空气、氮气中的热稳定性。用氨化In/Si的办法制备出氮化铟薄膜,且研究了氮化铟薄膜的结构性质和表面形貌。 XRD谱表明氮化铟粉末的最佳制备条件是:NH3气流量为500ml/min、氮化温度为700℃和氮化时间为140min。在该条件下制备的氮化铟粉末是六方纤锌矿结构。温度低于650℃时氮化不完全,高于750℃极易氧化,高于800℃发生分解。In2O3粉末与氨气发生化学反应,生成inn粉末,其化学方程式为: In2O3 + 2NH3==2inn + 3H2O 虽然没有进行有意掺杂,但氮化铟粉末中含有氧和碳是在所难免的。因此在测量其表面组分时,可以发现氧和碳的存在,含有的氧是化学吸附氧,极少数是In2O3中的氧。用X-射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)研究了氮化铟粉末在空气和氮气中的热稳定性。在空气中在400℃以前,氮化铟在空气中比较稳定,但当温度超过500℃时,氮化铟粉末迅速氧化。当温度达到600℃时,氮化铟粉末被完全氧化。氮化铟氧化反应的化学方程式为: 2inn + 3O2== 2In2O3 在纯氮气中,在退火温度为600℃时,出现了少量的氧化铟。当温度进一步升高到700℃时,氧化铟含量进一步升高。表明随着温度的升高,氮化铟与系统中的少量氧反应,生成了氧化铟。当温度升高到800℃时,氮化铟发生了分解,生成了铟和氮气。综上所述,氮化铟粉末在800℃前容易氧化,而在800℃后发生了分解。氮化铟在氮气中热分解的化学方程式为: 2inn== 2In + N2 利用配有WLY型稳流源的JCK-500A型磁控溅射仪溅射In靶在Si(111)衬底上淀积In膜。制备条件为:靶和衬底距离为8cm,溅射时靶作阴极,衬底作阳极。真空室本底压强为4.2×10-4Pa,溅射时通Ar气30秒,Ar气气压为3 Pa;然后通入氮气,关掉Ar气,氮气气压为3 Pa。直流溅射In膜时WLY型500稳流源的输出电压和电流分别为390V和0.12A。衬底温度室温,溅射时间为15分钟。然后采用氨化In/Si膜法制备inn薄膜。XRD和FTIR谱表明氮化铟薄膜的最佳制备条件是:NH3气流量为500ml/min、氮化温度为700℃和氮化时间为120min。用原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM),对最佳氮化条件下制备的inn的表面形貌进行了观测,发现膜的表面比较平整,且膜是六方结构的氮化铟构成。虽然没有进行有意掺杂,但氮化铟粉末中含有氧和碳是在所难免的。因此在测量其表面组分时,可以发现氧和碳的存在,含有的氧是化学吸附氧,极少数是In2O3中的氧。本文最后介绍采用溅射加氨化的两步生长法在Si衬底上分别采用金属In和In2O3做中间层生长GaN薄膜。主要研究了氮化温度和氮化时间对GaN薄膜结构和表面形貌的影响,并找出用此方法制备GaN薄膜的最佳生长参数。利用金属In做中间层制备GaN薄膜。采用XRD、FTIR、XPS、SEM、AFM和TEM对薄膜进行组成、结构和表面形貌分析,结果表明在900℃时GaN薄膜生长质量最好。利用In2O3做中间层制备GaN薄膜。采用XRD、FTIR、XPS、SEM和TEM对薄膜进行组成、结构和表面形貌分析,结果表明在900℃时GaN薄膜生长质量最好。

关键词： inn粉末 inn薄膜 GaN 磁控溅射氮化

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

新型半导体氮化铟薄膜的电学输运特性

新型半导体氮化铟薄膜的电学输运特性

作者：贾照伟上海交通大学

学位级别：硕士

本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(inn)的电学输运性质。inn在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性质到目前为止还不很清楚。因此很有必要对氮化铟的电学输运性质作一个详细的研究。首先介绍了半导体电... 详细信息

本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(inn)的电学输运性质。inn在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性质到目前为止还不很清楚。因此很有必要对氮化铟的电学输运性质作一个详细的研究。首先介绍了半导体电学输运性质的研究方法和实验仪器,还简要介绍了拉曼光谱仪和空间相干模型作为电学研究的补充。接着对氮化铟薄膜的经典输运性质进行了研究。用迁移率谱分析方法研究了inn的表面和体载流子的对体系输运的贡献。并且通过深入研究了这两种载流子的迁移率和浓度随温度变化的性质,发现载流子的浓度在10-300K的范围内Ne≈ND-NA,基本上不随温度变化;而在所研究的温度范围内氮化铟中的电离中心散射引起的载流子的变化被LO声子散射抵消掉了,因此迁移率也基本上不随温度变化。还研究了较高温度下的样品晶界势垒模型的研究,发现晶界势垒的高度随着磁场升高而线性增加。本文另一个重点是对MOVPE生长的氮化铟薄膜量子输运特性的研究。因为氮化铟有较强的自旋-轨道耦合作用,它在低温和小磁场下的磁致电导行为表现出明显的“反弱局域化效应”的特点。根据弱局域化理论的分析我们得出下面的结果:MOVPE生长的inn薄膜的量子退

关键词： inn薄膜变磁场霍尔效应迁移率谱分析技术电子迁移率晶界势垒模型弱局域电子退相位自旋-轨道耦合拉曼光谱空间相干模型

AlN缓冲层条件下普通玻璃上inn的制备方法

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

科技创新导报 2014年第28期11卷 67-68页

作者：苗丽华张东李昱材沈阳医学院基础数理教研室沈阳工程学院新能源学院辽宁沈阳110136

inn材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为inn薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃... 详细信息

inn材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为inn薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,inn薄膜,得到inn/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。

关键词： inn薄膜 AlN薄膜普通玻璃衬底半导体材料与器件