极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征

作     者：赵见国 殷瑞 徐儒 倪海彬 陶涛 庄喆 严羽 谢自力 刘斌 常建华 ZHAO Jianguo;YIN Rui;XU Ru;NI Haibin;TAO Tao;ZHUANG Zhe;YAN Yu;XIE Zili;LIU Bin;CHANG Jianhua

作者机构：南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044 南京大学电子科学与工程学院江苏南京210093 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2024年第45卷第2期

页      面：204-210页

核心收录：

学科分类：07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(62204121) 

主　　题：半极性面 非极性面 InN薄膜 外延生长 

摘      要：利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。