检索结果-南通市图书馆

人工晶体学报 2015年第4期44卷 953-953页

2~3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化,成功研制出波长达2.9微米... 详细信息

2~3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化,成功研制出波长达2.9微米的激光器,

关键词：量子阱 ingaas材料 InP 上海微系统航天遥感国际报道有源区光谱检测功能材料分子束外延生长

用ingaas材料制作的2.6μm光电探测器

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半导体光电 1999年第2期20卷 79-82页

作者：潘青重庆光电技术研究所重庆400060

介绍了２．６ μｍＩｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓ／ＩｎＰＰ－Ｎ异质结光电探测器，组分渐变层对调节ＩｎＰ衬底与Ｉｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓ之间的２％的晶格失配是有效的。在２．１ μｍ～２．６ μ... 详细信息

介绍了２．６ μｍＩｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓ／ＩｎＰＰ－Ｎ异质结光电探测器，组分渐变层对调节ＩｎＰ衬底与Ｉｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓ之间的２％的晶格失配是有效的。在２．１ μｍ～２．６ μｍ区域，量子效率为７０％～７５％；室温下约－２Ｖ时，Ｉｄ＝３．５ μ Ａ。

关键词：光电探测器 ingaas材料晶格失配组分渐变层

低维铟基阱-点复合量子结构及光学性能和应用前景

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中国激光 2022年第19期49卷 70-87页

作者：吴坚王玉红邰含旭郑明段若楠北京航空航天大学物理学院北京100191

现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新... 详细信息

现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求,从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中,富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能,获得了广泛的关注,成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料。介绍了当前三种典型的低维铟基阱-点复合量子结构材料及其光学性能,重点分析了基于ingaas材料的富铟团簇自组装阱-点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能,详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景。

关键词：激光器半导体激光器 ingaas材料低维复合量子结构富铟团簇效应光学增益

基于扫描聚焦XPS技术的ingaas表面清洁研究

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光学学报 2021年第5期41卷 125-133页

作者：荣敏敏张益军李诗曼焦岗成刘伟鑫王自衡舒昭鑫钱芸生南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094 微光夜视技术重点实验室陕西西安710065 上海航天技术研究院808所上海201109

为了获得清洁度更高的ingaas材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线... 详细信息

为了获得清洁度更高的ingaas材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的ingaas样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。

关键词：材料 ingaas材料扫描聚焦X射线表面污染化学清洗

三栅场效应晶体管（FinFET）电学特性的建模与仿真

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三栅场效应晶体管（FinFET）电学特性的建模与仿真

作者：李圣威复旦大学

学位级别：硕士

随着微电子技术的不断发展,场效应晶体管的尺寸已经缩短到了纳米尺度,电路的功耗问题、“短沟道效应”和器件中的量子效应成为制约集成电路发展的主要因素。为了降低电路的功耗并能够更好的抑制“短沟道效应”,ingaas三栅场效应晶体管(F... 详细信息

随着微电子技术的不断发展,场效应晶体管的尺寸已经缩短到了纳米尺度,电路的功耗问题、“短沟道效应”和器件中的量子效应成为制约集成电路发展的主要因素。为了降低电路的功耗并能够更好的抑制“短沟道效应”,ingaas三栅场效应晶体管(FinFET)成为国际上的一个研究热点。ingaas材料的电子迁移率大约比Si材料的电子迁移率高一个数量级,虽然国际上对Si FinFET已经做过很多研究工作,但是对ingaas FinFET的导电模型,国际上仍然缺乏系统的了解。本论文针对n型In0.53Ga0.47As FinFET的导电模型展开研究。论文第一章介绍了国际上半导体器件的发展趋势以及三栅场效应晶体管和ingaas场效应晶体管的研究历史、发展现状和存在的问题。第二章在考虑器件沟道中电子的量子效应和准弹道散射的基础上,推导了In0.53Ga0.47As FinFET的导电模型,提出了适用于三栅场效应晶体管的量子电容模型。第三章给出了In0.53Ga0.47As FinFET电学特性的实验测量结果,通过测量结果与器件模型的仿真结果比较,获得了电子的有效迁移率和相关的散射参数。最后一章(第四章)给出了论文工作的总结与展望。本论文的主要研究结果有：(1)发现对于三栅尺度HFin/WFin为40/40nm的In0.53Ga0.47As FinFET,器件开启时(Vg>Vth)沟道中的电子是分布在整个Fin中的(体反型),而不是集中在沟道中靠近栅的表面处(面反型)。(2)建立了考虑多子能级和准弹道散射的导电模型和电容模型,得到了器件的源漏电流与栅电压、源漏电压和温度的关系。(3)通过实验测量结果与模型仿真结果的比较,获得了器件中电子的有效迁移率和相关的散射参数,发现了电子的有效迁移率随着温度上升而上升的反常现象,表明ingaas/Al2O3界面处具有较高浓度的陷阱。上述结果,为深入了解ingaas/Al2O3三栅场效应晶体管的导电特性提供了新的知识、方法和模型。对于促进这一器件的研究和开发,具有重要的科学和应用价值。

关键词： ingaas材料三栅场效应晶体管准弹道散射输运模型散射系数特征长度量子电容

ingaas/Al2O3 FinFET的电学特性测量与参数提取

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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InGaAs/Al2O3 FinFET的电学特性测量与参数提取

作者：胡耀东复旦大学

学位级别：硕士

随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就必须在材料和结构上有所创新。FinFET有着优异的栅极控制力,而Ⅲ-Ⅴ材料... 详细信息

随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就必须在材料和结构上有所创新。FinFET有着优异的栅极控制力,而Ⅲ-Ⅴ材料具有较大的体迁移率,两者结合有着巨大的发展前景。本文以In0.53Ga0.47As/Al2O3 n-FinFET作为研究对象。论文第一章分别介绍了FinFET口Ⅲ-Ⅴ材料研究的背景和意义。第二章介绍了ingaas FinFET的器件结构和工艺流程,并描述了MOSFET的电学测量原理和测量设备。第三章测量ingaas FinFET的变温Ⅰ-Ⅴ特性。计算源漏电阻并校正得到FinFET晶体管本征Ⅰ-Ⅴ特性。第四章描述了多子带准弹道输运模型,提取得到ⅠnGaAs FinFET的电子迁移率协等电学特性。论文的主要结果有：(1)从实验结果计算得到ingaas/Al2O3 FinFET源漏串联电阻约在300Ω。考虑源漏串联电阻,提出一种用于计算MOS晶体管本征Ⅰ-Ⅴ特性的校正方法。(2)提出了多子能级下FinFET的一维量子电容模型,通过与传统电容模型进行对比,验证得到在纳米尺度下量子效应会降低栅电容。多子带结合准弹道输运模型,推导得到用以描述FinFET在线性区小Vds下的电流方程。(3)计算得到电子迁移率为370cm2/N*s,传输系数τ在0.05-0.06附近。(4)针对ingaas FinFET迁移率的反常温度特性,提出界面陷阱与氧化层陷阱过高而引入了散射迁移率μCoulomb,从而导致了迁移率随温度升高而升高。

关键词： ingaas材料源漏串联电阻多栅场效应晶体管准弹道输运模型量子电容电子迁移率