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ingaas/gaas应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

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物理学报 2012年第5期61卷 203-209页

作者：张帆李林马晓辉李占国隋庆学高欣曲轶薄报学刘国军长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室长春130103

详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微... 详细信息

详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了ingaas/gaas量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了ingaas/gaas量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.

关键词： ingaas/gaas 线宽展宽因子应变量子阱增益

ingaas/gaas量子链的光学特性研究

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物理学报 2008年第3期57卷 1908-1912页

作者：王宝瑞孙征徐仲英孙宝权姬扬 Z. M. Wang G.J. Salamo 中科院半导体研究所超品格国家重点实验室北京100083 Department of Physics University of Arkansas

研究了ingaas/gaas量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发功率增大而增大,当激发功率足够大时... 详细信息

研究了ingaas/gaas量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发功率增大而增大,当激发功率足够大时,荧光寿命趋于饱和.这些结果清楚地表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在明显的耦合和输运现象,进一步分析表明,这种输运主要是由于载流子沿量子链方向的耦合造成的.发光的偏振特性研究进一步证实了载流子沿量子链方向输运过程.

关键词： ingaas/gaas 量子点量子链光学特性载流子纳米结构

ingaas／gaas异质结构材料及器件应用

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固体电子学研究与进展 1994年第3期14卷 205-208页

作者：彭正夫张允强龚朝阳高翔孙娟吴鹏南京电子器件研究所

概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益... 详细信息

概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。

关键词：微波器件异质结构 ingaas/gaas

快速热处理对应变ingaas/gaas单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

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物理学报 2002年第2期51卷 367-371页

作者：卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国 J.Wang WeikunGe 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室北京100083 中国科学院半导体研究所光电子工程中心北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 香港科技大学物理系

研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As gaas折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了ingaas gaas界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ... 详细信息

研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As gaas折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了ingaas gaas界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了Algaas波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .

关键词：量子阱快速热处理电子发射 DX中心激光二极管 RTA ingaas/gaas 半导体激光器铟镓砷化合物砷化镓

Effect of indium distribution on optical properties in ingaas/gaas quantum wells

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Frontiers of Optoelectronics 2009年第1期2卷 108-112页

作者： Guozhi JIA Jianghong YAO Yongchun SHU Xiaodong XIN Biao PI Tianjin Institute of Urban Construction The Key Lab of Advanced Technique and Fabrication for Weak-Light Nonlinear Photonics Materials TEDA Applied Physics SchoolNankai University

The effect of In surface segregation and diffusion on the transition energy of an ingaas/gaas strained quantum well(QW) was investigated theoretically. Diffusion equations and the Schr?dinger equation on the ingaas/gaas QW were solved numerically. The energy shifts under different diffusion lengths were simulated. When the width of QW, L, is larger than 5 nm, the change rate of the transition energy is very minimal at the initial stage of the annealing process for wide QW, and the transition energy has a rapid blue shift with an increase of the diffusion length. When L is smaller than 5 nm, the transition energy is very sensitive to the diffusion *** change rate of transition energy increases with a decrease in QW width.

关键词： quantum well (QW) ingaas/gaas surface segregation diffusion

基于ingaas/gaas量子阱结构的辐射标定因子实验研究

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发光学报 2023年第12期44卷 2258-2264页

作者：王伟杨舒婷汪雅欣王宇轩王茹于庆南无锡学院江苏省集成电路可靠性技术及检测系统工程研究中心江苏无锡214105

辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm ingaas/gaas量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集ingaas/gaas边发... 详细信息

辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm ingaas/gaas量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集ingaas/gaas边发射结构两侧辐射的光致发光(PL)光谱,利用构建的理论公式,获得了该结构在不同注入载流子浓度下的辐射标定因子,均值波动范围约为7.16×10^(10)~3.36×10^(11)W^(-1)·eV^(-1)·s^(-1)。最后利用固体模型理论和载流子填充规律对该结果进行了分析,揭示了该结构在不同热平衡状态下的非平衡载流子能带填充水平,以及电子和空穴准费米能级的变化规律。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法,在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。

关键词： ingaas/gaas 辐射标定因子光致发光光谱能带填充水平

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ingaas/gaas应变量子阱半导体激光器的研究

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InGaAs/GaAs应变量子阱半导体激光器的研究

作者：杨立保长春理工大学

学位级别：硕士

长波长ingaas材料的应变量子阱激光器多年来在国际上受到广泛重视，但是由于应变材料受到临界厚度的影响，激射波长一直以来都难以突破0.9～1.1μm这个范围。本论文针对ingaas／gaas材料的应变量子阱激光器作了深入而细致的工作。... 详细信息

长波长ingaas材料的应变量子阱激光器多年来在国际上受到广泛重视，但是由于应变材料受到临界厚度的影响，激射波长一直以来都难以突破0.9～1.1μm这个范围。本论文针对ingaas／gaas材料的应变量子阱激光器作了深入而细致的工作。以典型量子阱结构设计为基础对高应变量子阱激光器外延结构设计及性能优化进行了研究。我们用试验证实高应变量子阱激光器有源层的临界厚度达到8.5nm，超过Matthews Blakeslee等人曾经预测的6.5nm。采用优化生长条件的方法获得长波长高应变ingaas／gaas材料的量子阱激光器。当腔长为680μm时，它的波长为1.192μm。它的阈值电流密度为275A／cm，内量子效率为91％，内损耗为6.5cm。当腔长为1400μm时，它的波长为1.201μm。本论文还对半导体激光器的腔面镀膜进行了必要的优化。设计了一套新型夹具，通过试验证实这种新型夹具明显地改善了腔面镀膜的质量。

关键词：高应变量子阱半导体激光器 ingaas/gaas 腔面镀膜分子束外延生长

合金无序和界面不平整对ingaas/gaas应变量子阱光谱展宽的影响

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Journal of Semiconductors 1990年第6期11卷 403-409页

作者：徐强徐仲英郑宝真许继宗中国科学院半导体研究所国家超晶格微结构实验室

用光荧光和光吸收的实验方法研究了ingaas/gaas应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着ingaas层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分析了实验数据,发现样品中合金组合无序引起的激子谱线展宽是主... 详细信息

用光荧光和光吸收的实验方法研究了ingaas/gaas应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着ingaas层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分析了实验数据,发现样品中合金组合无序引起的激子谱线展宽是主要的光谱展宽机理。实验中还发现与轻空穴有关的吸收光谱结构在升温过程中由吸收峰变为台阶状的谱结构。该现象可用与轻空穴有关的吸收为空间间接跃过来解释。

关键词： ingaas/gaas 量子阱光谱特性

应力层多量子阱ingaas/gaas的光电流谱研究(英文)

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固体电子学研究与进展 1989年第4期 425-426页

作者：方晓明沈学础侯宏启冯巍周钧铭中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所