合金无序和界面不平整对InGaAs/GaAs应变量子阱光谱展宽的影响
Influences of Alloy Disorder and Interface Roughness on Optical Spectra of InGaAs/GaAs Strained-Layer Quantum Wells出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1990年第11卷第6期
页 面：403-409页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
主 题：InGaAs/GaAs 量子阱 光谱特性
摘 要：用光荧光和光吸收的实验方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着InGaAs层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分析了实验数据,发现样品中合金组合无序引起的激子谱线展宽是主要的光谱展宽机理。实验中还发现与轻空穴有关的吸收光谱结构在升温过程中由吸收峰变为台阶状的谱结构。该现象可用与轻空穴有关的吸收为空间间接跃过来解释。
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