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  • 1 篇 gaassb
  • 1 篇 ii类超晶格
  • 1 篇 红外探测器
  • 1 篇 superlattice

机构

  • 1 篇 暨南大学
  • 1 篇 key laboratory o...

作者

  • 1 篇 jin chuan
  • 1 篇 靳川
  • 1 篇 chen jianxin
  • 1 篇 xu qingqing

语言

  • 1 篇 英文
  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=InGaAs/GaAsSb"
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Growth mechanism and optical properties of ingaas/gaassb Su-perlattice structures
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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2015年 第4期58卷 40-44页
作者： JIN Chuan XU QingQing CHEN JianXin Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences
In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth *** simulated the incorporation difference between Sb2 and As2 by using a non-equilibrium thermo... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
含锑半导体异质结构光电材料及物理研究
含锑半导体异质结构光电材料及物理研究
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作者： 靳川 暨南大学
学位级别：硕士
含锑化合物半导体是当前半导体光电器件和凝聚态物理研究领域的前沿和热点，可用于实现高性能的中红外半导体激光器、探测器和新型晶体管等多种信息功能器件，在红外遥感、分子光谱探测和现代通信等多方面具有重要的应用价值。 本文... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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