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主题

  • 2 篇 in气氛
  • 1 篇 扩散系数
  • 1 篇 p-alxga1-xn
  • 1 篇 cdznte
  • 1 篇 深紫外led
  • 1 篇 热处理
  • 1 篇 激活能

机构

  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 人工微结构和介观...
  • 1 篇 洛阳光电研究所

作者

  • 1 篇 于涛
  • 1 篇 张国义
  • 1 篇 沈波
  • 1 篇 李万万
  • 1 篇 杨子文
  • 1 篇 许正昱
  • 1 篇 秦志新
  • 1 篇 张延召
  • 1 篇 桑立雯
  • 1 篇 孙维国
  • 1 篇 赵岚
  • 1 篇 孙康
  • 1 篇 成彩晶
  • 1 篇 张向锋

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=In气氛"
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in气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
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发光学报 2010年 第1期31卷 91-95页
作者： 张延召 秦志新 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871 洛阳光电研究所 河南洛阳471009
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... 详细信息
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Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的in气氛扩散热处理研究
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物理学报 2006年 第4期55卷 1921-1929页
作者： 李万万 孙康 上海交通大学复合材料研究所 上海200030
为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体在in气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能.退火处理过程的实质是一个扩散过程,因此研究扩散系数与Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的性能特别是电阻率变化之间的关系具有重... 详细信息
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