检索结果-南通市图书馆

A high linearity SiGe HBT LNA for GPS receiver

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Journal of Semiconductors 2014年第4期35卷 92-97页

作者：罗彦彬石坚马成炎甘业兵钱敏 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Hangzhou Zhongke Microelectronics Co.Ltd. Jiaxing Lianxing Microelectronics Co.Ltd.

A high linearity 1.575 GHz SiGe：HBT low noise amplifier （LNA） for global positioning system applications is described. The bipolar cascoded with an MOSFET LNA was fabricated in a commercial 0.18 μm SiGe BiCMOS process, A resistor bias feed circuit with a feedback resistor was designed for the LNA input transistor to improve its intermodulation and compression performance. The packaged chip tested on board has displayed a noise figure of 1. I 1 dB, a power gain of 18 dB, an output 1 dB compression point of ＋7.8 dBm and an input third-order intercept point of ＋1.8 dBm. The chip occupies a 500 × 560μm^2 area and consumes 3.6 mA from a 2.85 V power supply.

关键词： LNA noise figure high linearity OPldB iip3 SiGe HBT

A 6-7 GHz,40 dB receiver RF front-end with 4.5 dB minimum noise figure in 0.13μm CMOS for IR-UWB applications

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Journal of Semiconductors 2013年第3期34卷 90-96页

作者：秦希黄煜梅洪志良 State Key Laboratory of ASIC and System Fudan University

A wideband receiver RP front-end for IR-UWB applications is implemented in 0.13μm CMOS technology. Thanks to the direct sub-sampling architecture,there is no mixing *** LNA and VGA work at RF *** optimize noise as well as linearity,a differential common-source LNA with capacitive cross- coupling is used,which only consumes current of 1.8 mA from a 1.2 V power *** LNA,a two-stage current-steering VGA is adopted for gain *** extend the overall bandwidth,a three-stage staggered peaking technique is *** results show that the proposed receiver front-end achieves a gain tuning range from 5 to 40 dB within 6-7 GHz,a minimum noise figure of 4.5 dB and a largest iip_3 of-11 *** core receiver (without test buffer) consumes 14 mW from a 1.2 V power supply and occupies 0.58 mm^2 area.

关键词： IR-UWB wideband receiver low-noise amplifier variable gain amplifier noise figure iip3

A high linearity dual-band mixer for IMT-A and UWB systems

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Journal of Semiconductors 2014年第11期35卷 130-134页

作者：唐旭升王晓羽杨江唐欣黄风义 RF & OEIC Research Institute National Mobile Communications Research LaboratorySoutheast University

The design and analysis of a reconfigurable dual-band down-conversion mixer for IMT-advanced （3.4 3.6 GHz） and UWB （4.2-4.8 GHz） applications are presented. Based on a folded double-balanced Gilbert cell, which is well known for its low voltage, simplicity and well balanced performance, the mixer adopts a capacitive cross-coupling technique for input matching and performance improvement. Switched capacitors and resistors are added to shift the working bands. Fabricated in a TSMC 0.13 #m process, the test results show flat conversion gains from 9.6 to 10.3 dB on the IMT-A band and from 9.7 to 10.4 dB on the UWB band, with a noise figure of about 15 dB on both bands. The input third-order intercept points （lIP3） are about 7,3 dBm on both of the frequency bands. The whole chip consumes 11 mW under 1.2 V supply and the total area of the layout is 0.76 × 0.65 mm^2.

关键词： mixer IMT advanced UW13 iip3 conversion gain noise figure

Double-balanced mixer based on monolayer graphene fieldeffect transistors

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Journal of Semiconductors 2022年第5期43卷 79-83页

作者： Min Wu Weida Hong Guanyu Liu Jiejun Zhang Ziao Tian Miao Zhang School of Microelectronics University of Science and Technology of ChinaHefei 230022China Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of SciencesShanghai 200050China

Graphene field-effect transistors(GFET) have attracted much attention in the radio frequency(RF) and microwave fields because of its extremely high carrier mobility. In this paper, a GFET with a gate length of 5 μm is fabricated through the van der Walls(vdW) transfer process, and then the existing large-signal GFET model is described, and the model is implemented in Verilog-A for analysis in RF and microwave circuits. Next a double-balanced mixer based on four GFETs is designed and analyzed in advanced design system(ADS) tools. Finally, the simulation results show that with the input of 300 and 280 MHz,the iip3 of the mixed signal is 24.5 dBm.

关键词： GFET mixer RF simulation iip3

一种2.4GHzCMOS低噪声放大器的优化设计

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电子器件 2006年第2期29卷 360-364页

作者：石道林李跃进朱樟明西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析,得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响,而线性度主要受第二级MOS管的影响。并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法。采用该方法设计一个基于TSM... 详细信息

通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析,得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响,而线性度主要受第二级MOS管的影响。并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法。采用该方法设计一个基于TSMC0.25μmCMOS工艺、2.4GHz的低噪声放大器,仿真结果表明在2.4GHz下,它的噪声系数[NF]为1.15dB,增益S21为16.5dB,工作电压1.5V时,功耗为14mW,线性度iip3为0.3dBm。

关键词：低噪声放大器低噪系数难阻抗匹配 iip3

利用动态偏置方法扩展LNA动态范围的理论分析及实现

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电路与系统学报 2010年第1期15卷 108-112,85页

作者：李琨滕建辅黄建尧刘玉华天津大学电子信息工程学院天津300072 天津理工大学电子信息工程学院天津300384

本文提出了一种扩展LNA动态范围的方法——动态偏置,即根据接收信号的强弱动态地调节低噪声放大器(LNA)的偏置。文中从理论上阐述了此方法的有效性,并介绍了方法实现中所用到的三项关键技术,分别为:利用镜像电流源提供动态偏置电流,合... 详细信息

本文提出了一种扩展LNA动态范围的方法——动态偏置,即根据接收信号的强弱动态地调节低噪声放大器(LNA)的偏置。文中从理论上阐述了此方法的有效性,并介绍了方法实现中所用到的三项关键技术,分别为:利用镜像电流源提供动态偏置电流,合理地设计匹配电路,利用自定义的优选函数选取恰当的偏置电流范围。实测结果表明,动态偏置LNA的噪声系数为1.46dB,输入三阶互调截止点(iip3)为20.38dBm,无杂散动态范围达到99.29dB,相对于传统固定偏置的LNA,其动态范围提高了7.97dB,从而验证了动态偏置方法扩展LNA动态范围的有效性。

关键词：动态偏置低噪声放大器动态范围噪声系数 iip3

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CDMA射频接收机中的交调干扰

西安邮电学院学报 2012年第6期17卷 20-23页

作者：付志慧李哲西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

针对CDMA(Code Division Multiple Access)射频接收机中LNA(low noise amplifier)的非线性度引发的交调干扰问题,本文基于CDMA手机平台,结合CDMA单音抗扰度实验,定性地分析了交调干扰的产生过程以及此干扰对射频单音指标的影响。并利用... 详细信息

针对CDMA(Code Division Multiple Access)射频接收机中LNA(low noise amplifier)的非线性度引发的交调干扰问题,本文基于CDMA手机平台,结合CDMA单音抗扰度实验,定性地分析了交调干扰的产生过程以及此干扰对射频单音指标的影响。并利用单音裕量值计算出了满足CDMA BC0(cellular)频段的LNA iip3(inputthird-order intercept point)指标:+7.8dBm。同时进行IP3(third-order intercept point)实验验证iip3计算值与实际值的一致性。分析表明射频接收机中的交调干扰是发射泄露的信号与邻道单音干扰信号交叉调制产生。LNA的线性度指标iip3对交调干扰起决定性作用。要使交调产物越小,所需要的iip3值越大。

关键词：交调干扰 LNA 单音抗扰度 iip3

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射频放大器中的功率参数

移动通信 2004年第S3期28卷 124-125页

作者：刘化龙信息产业部广州移动通信产品质量监督检验中心

现代的无线通信中,射频设备的使用相当普及,而射频放大器在设备中起着至关重要的作用,放大器中有关功率参数的测量也引起相当的重视,而我们在实际的研发生产中对功率参数的理解和应用存在一定的误解,下面就一个放大器的特性来说明相关... 详细信息

现代的无线通信中,射频设备的使用相当普及,而射频放大器在设备中起着至关重要的作用,放大器中有关功率参数的测量也引起相当的重视,而我们在实际的研发生产中对功率参数的理解和应用存在一定的误解,下面就一个放大器的特性来说明相关功率参数的含义和应用。我们在描述一个放大器时,基本的参数有增益和最大输出电平(功率)。为对增益有较为准确的描述,引入线性特性的参数来衡量,通常用1dB压缩点对应输入功率和线性最小输入电平来表示,两者之差就是放大器的输入动态范围。

关键词：最小线性输入电平最大允许输入电平 G P1dB iip3 OIP3 IM3

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基于通讯模组射频性能提升的研究

探索科学 2019年第3期 305-305页

作者：钱自进四川省绵阳市安州区花垓工业园四川绵阳621000

本课题重点介绍从通讯模组的LNA回路进行分析,从而达到提高通讯模组的接收灵敏度、输入反射损耗和邻频指标等.

关键词： LNA噪声系数输入反射损耗 VSWR iip3