检索结果-南通市图书馆

Science China Mathematics 2002年第10期45卷 1320-1328页

作者：王永谦程文超陈长勇陈维德廖显伯李国华张世斌孔光临刁宏伟徐艳月 State Laboratory for Surface Physics Institute of Semiconductors & Center for Condensed Matter Physics Chinese Academy of Sciences Beijing China State Laboratory of Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing China

A set of a-SiOx:h (0.52 hanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the fil... 详细信息

A set of a-SiOx:h (0.52 hanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:h, SiO:h, Si2O3:h and SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by the subshells of Si2O:h, SiO:h, Si2O3:h, and SiO2.

关键词： a-SiOx: h, microstructure, bonding configuration.

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