检索结果-南通市图书馆

A silicon-graphene-silicon transistor with an improved current gain

Journal of Materials Science & Technology 2022年第9期104卷 127-130页

作者： Chi Liu Xu-Qi Yang Wei Ma Xin-Zhe Wang Hai-Yan Jiang Wen-Cai Ren Dong-Ming Sun Shenyang National Laboratory for Materials Science Institute of Metal ResearchChinese Academy of Sciences72 Wenhua RoadShenyang 110016China School of Material Science and Engineering University of Science and Technology of China72 Wenhua RoadShenyang 110016China

In history,semiconductor-metal-semiconductor transistor(SMST)was proposed for frequency ***,a general fabrication method is still missing due to the unsolved technological problem of deposition of a general crystalline semiconductor on metal,and a thinner metal base is also difficult to be fabricated with high ***,due to the atomic thickness of graphene,the concept of semiconductor-graphene-semiconductor transistor(SGST)has emerged which leads to the renaissance of SMST,however the experimental study is in its *** this letter,SMST and SGST are fabricated using Si membrane *** is found the common base current gain can be improved from about 0.5%in a Si-Au-Si transistor to about 1%in a Si-Gr-Ge one,and to above 10%in a Si-Gr-Si one,which is attributed to both the ultra-thin thickness and the quantum capacitance effect of graphene.

关键词： Semiconductor metal semiconductor transistor graphene base transistor graphene base heterojunction transistor

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：