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Magnetoresistance retraction behaviour of Ag/p-Ge:Ga/Ag device under pulsed high magnetic field

Journal of Materials Science & Technology 2022年第19期114卷 1-6页

作者： Xiong He Zhengcai Xia Haoyu Niu Zhuo Zeng Wuhan National High Magnetic Field Center Huazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China School of Physics Huazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China

In non-magnetic semiconductor materials,unsaturated magnetoresistance(MR)effect has attracted lots of attention due to its physical interests and potential applications in electronic *** the ex-tremely high magnetic field,the stability and reliability of MR effects based on the non-ohmic transport has been rarely *** this paper,the transport properties of non-magnetic Ag/p-Ge:Ga/Ag devices under 45 T pulsed high magnetic field at 300 K are *** is found that in ohmic conduction re-gion(Ibased MR devices under the interference of strong magnetic pulses.

关键词： germanium-based device Magnetoresistance Bipolar transport Retraction behavior Pulsed high magnetic field

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