检索结果-南通市图书馆

激光与光电子学进展 2022年第19期59卷 29-40页

作者：黄强张意孙军强余长亮高建峰江佩璘石浩天黄楚坤华中科技大学武汉光电国家研究中心湖北武汉430074 邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室湖南邵阳422000 武汉飞思灵微电子技术有限公司湖北武汉430040

硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破,但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。ge/sige多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连,基于量子限制斯塔克效应... 详细信息

硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破,但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。ge/sige多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连,基于量子限制斯塔克效应的ge/sige多量子阱调制器具有低功耗、低偏压、高速率的优点。总结了基于ge/sige多量子阱调制器的研究现状和进展,讨论对比了ge/sige多量子阱调制器的消光比、光损耗、偏置电压、电场、光调制器的调制带宽、暗电流等性能参数,展望了ge/sige多量子阱调制器在集成光子学中的发展方向和面临的挑战。

关键词：光学器件硅基光子学 sige调制器 ge/sige多量子阱量子限制斯塔克效应

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于紫外光刻的双轴张应变ge/sige多量子阱电吸收调制器

引用

光电子．激光 2022年第11期33卷 1121-1126页

作者：黄强高建峰黄楚坤江佩璘孙军强余长亮华中科技大学武汉光电国家研究中心湖北武汉430074 邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室湖南邵阳422000 武汉飞思灵微电子技术有限公司湖北武汉430074

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在ge/sige多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸... 详细信息

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在ge/sige多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。

关键词：紫外光刻工艺(UVL) ge/sige多量子阱双轴张应变低偏振相关电吸收调制器

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：