基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器

作     者：黄强 高建峰 黄楚坤 江佩璘 孙军强 余长亮 HUANG Qiang;GAO Jianfeng;HUANG Chukun;JIANG Peilin;SUN Junqiang;YU Changliang

作者机构：华中科技大学武汉光电国家研究中心湖北武汉430074 邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室湖南邵阳422000 武汉飞思灵微电子技术有限公司湖北武汉430074 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2022年第33卷第11期

页      面：1121-1126页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：湖北省重点研发计划项目(2021BAA002)资助项目 

主　　题：紫外光刻工艺(UVL) Ge/SiGe多量子阱 双轴张应变 低偏振相关 电吸收调制器 

摘      要：采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。