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The influence of pressure on the growth of a-plane gan on r-plane sapphire substrates by mocvd

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第3期54卷 446-449页

作者： HE Tao LI Hui DAI LongGui WANG XiaoLi CHEN Yao MA ZiGuang XU PeiQiang JIANG Yang WANG Lu JIA HaiQiang WANG WenXin CHEN Hong Beijing National Laboratory of Condensed Matter Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Beijing 100190 China

Nonpolar a-plane （1120） gan films have been grown on r-plane （1102） sapphire by metal-organic chemical vapor deposition （mocvd） under different growth pressures. The as-grown films are investigated by optical microscopy, high-resolution X-ray diffraction （HRxrd） and Raman scattering. As growth pressure rises from 100 mbar to 400 mbar, the surface gets rougher, and the in-plane xrd full width at half maximum （FWHM） along the c-axis [0001] increases while that along the m-axis [1100] decreases. Meanwhile, residential stresses are reduced along both the c-axis and the m-axis. The structural anisotropy feature under 400 mbar is inverted with respect to 100 mbar, and the weakened anisotropy is achieved under a moderate pressure of 200 mbar, probably due to the suppressed Ga atomic migration along the c-axis under a larger pressure. We propose that pressure can affect a-plane growth through the V/III ratio.

关键词： gan anisotropy xrd growth pressure mocvd

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