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Photoluminescence characteristics of gan：si

Chinese Physics B 2005年第10期14卷 2133-2136页

作者：冯倩龚欣张晓菊郝跃 Research Institute of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Gap Semiconductor Materials and Devices Xi'an 710071 China School of Telecommunications Engineering Xidian University Xi'an 710071 China

Both the electrical and optical properties are studied of the gan：si films with carrier concentrations ranging from 10^17cm^-3 to 10^19cm^-*** results indicate that the increase in slope of carrier concentration starts to slow down when the flow rate of siH4 is larger than 6.38μmol/min, which is attributed to the amphoteric character of si. At the same time, the photoluminescence results show that the FWHM of UV is widened,which can be interpreted quantitatively with a semi-classic model. Furthermore, the intensity ratio between the yellow and the UV luminescences reduces monotonically with si dopants increasing.

关键词： gan:si heteroepitaxy Hall photoluminescence

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气流混合对生长gan∶si膜性能影响的研究

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光学学报 2002年第2期22卷 181-185页

作者：莫春兰李鹏王立熊传兵彭学新辛勇姚冬敏李述体江风益南昌大学材料科学研究所南昌330047

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了gan∶si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对gan∶si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高gan∶si膜的光电及结晶性能很重要... 详细信息

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了gan∶si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对gan∶si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高gan∶si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早 ,气流混合时间长 ,gan∶si膜的黄带与带边发射强度之比较大 ,X射线双晶衍射半高宽较宽 ;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚 ,尽管可减少预反应 ,但气流混合不均匀 ,致使gan∶si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长 ,获得了光电及结晶性能良好的gan∶si单晶膜。

关键词： gan:si 金属有机气相沉积技术气流混合氮化镓硅薄膜外延生长光电性能结晶性能

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si掺杂对缺陷诱导的gan磁性的影响

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红外与毫米波学报 2011年第3期30卷 229-231,249页

作者：张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆东华大学应用物理系上海201620 中国科学院上海技术物理研究所国家红外物理室上海200083 华东师范大学电子工程系上海200241

利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的gan的内禀磁性以及si掺杂对缺陷gan磁性的影响.研究发现缺陷诱导gan的内禀磁矩为3μB,si掺杂后缺陷诱导的gan磁矩发生淬灭为2μB.随si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验... 详细信息

利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的gan的内禀磁性以及si掺杂对缺陷gan磁性的影响.研究发现缺陷诱导gan的内禀磁矩为3μB,si掺杂后缺陷诱导的gan磁矩发生淬灭为2μB.随si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.

关键词： gan:si 第一性原理磁性

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si表面吸附及si掺杂缺陷gan磁性的研究

Si表面吸附及Si掺杂缺陷GaN磁性的研究

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作者：张蕾东华大学

学位级别：硕士

硅作为最重要的半导体材料,其表面结构及其外延生长一直是人们关注的研究课题。由于Au/si界面在电子器件和表面催化方面的广泛应用,深入了解其微观结构与特性具有重要的意义。本文采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,对S... 详细信息

硅作为最重要的半导体材料,其表面结构及其外延生长一直是人们关注的研究课题。由于Au/si界面在电子器件和表面催化方面的广泛应用,深入了解其微观结构与特性具有重要的意义。本文采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,对si各种表面结构进行了搭建和重构计算,并对Au在si（100）p（2×2）表面上的吸附结构,电子性质以及si对gan的d0磁性的影响进行了研究,其主要结论如下：首先,研究了si（100）表面p（2×1）、p（2×2）和c（4×2）三种常见重构的结构的不同结构,即是p（2×1）在表面两种不同的平行排列方式。计算不同重构si（100）表面结构中不对称（duckled）二聚体（dimer）能量,不对称二聚体p（2×1）和这两种交替排列的不对称二聚体结构的相互转化需要能量的下降而转变为另一种排列顺序,p（2×2）和c（4×2）两种重构结构中每个dimer之间的能量差很小,仅为4meV。对si（100）p（2×2）表面进行电荷密度分析,结果表明si（100）p（2×2）表面不对称二聚体中两个原子化学性质不同,si-down原子中的电子转移到si-up原子中,从而si-up原子是少电子态,而si-down原子是多电子态。其次,对单个Au原子在si（100）p（2×2）表面上的吸附进行了研究,发现Au吸附在两个相邻平行dimer行之间沟槽的位置上是最稳定结构;对该结构的电子结构与电子性质的研究,发现Au原子的吸附饱和了表面悬挂键,而Au原子与表面硅原子形成具有部分离子键特性的共价键;另外,发现清洁si表面能带结构中存在的两条能带,由于Au原子的吸附,在Au吸附si（100）p（2×2）表面的能带结构中消失, Au原子饱和了si（100）表面上一部分的悬挂键,使得整个体系中的带隙减小。而对Au3团簇在si（100）p（2×2）表面上的吸附研究,发现吸附较佳的位置是在si（100）p（2×2）表面沟槽处,Au3团簇中的一对Au键断裂,形成折线型Au链,其它两个Au-Au键的键长缩短;Au原子的增加使得整个体系中的能带间隙近一步减小。对在Au/si（100）p（2×2）表面上吸附Cd和S的计算结果表明,S原子更易吸附在Au/si（100）p（2×2）表面上。最后,利用第一性原理局域自旋密度近似方法对si参杂gan的d0铁磁性进行了研究。研究表明Ga空位缺陷会产生3μB的磁矩,而si掺杂后对gan d0铁磁性的影响明显;si掺杂后缺陷诱导的gan磁矩发生淬灭,磁矩减小到2μB,随si含量的增加磁矩进一步减少。这一理论结果对实验有指导意义。

关键词：第一性原理 si(100)表面吸附稀磁半导体 gan:si 磁性

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