气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究

作     者：莫春兰 李鹏 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 李述体 江风益 

作者机构：南昌大学材料科学研究所南昌330047 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2002年第22卷第2期

页      面：181-185页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家 8 6 3新材料领域 (715 0 0 1 0 0 12 ) 国家自然科学基金 (6 96 76 0 19) 江西省跨世纪人才基金资助课题 

主　　题：GaN:Si 金属有机气相沉积技术 气流混合 氮化镓 硅 薄膜 外延生长 光电性能 结晶性能 

摘      要：用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早 ,气流混合时间长 ,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大 ,X射线双晶衍射半高宽较宽 ;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚 ,尽管可减少预反应 ,但气流混合不均匀 ,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长 ,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜。