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条形几何尺寸对光通信用gaas-gaalas边发光管性能的影响

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发光学报 1985年第3期 239-245页

作者：逄永秀潘慧珍龚连根吴冠群王德宁吴陈周中国科学院上海冶金研究所邮电部上海通信设备厂

本文阐述了条形几何尺寸对gaas-gaalas边发光管性能的影响。计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况。计算与实验结果很好相符。通过合理的折衷,在100mA的低注入电流下获得了性能良好的边发光二极管,其标准尾纤的输出功率大于100... 详细信息

本文阐述了条形几何尺寸对gaas-gaalas边发光管性能的影响。计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况。计算与实验结果很好相符。通过合理的折衷,在100mA的低注入电流下获得了性能良好的边发光二极管,其标准尾纤的输出功率大于100μW,光带宽超过120MHz。是三次群光通信较为理想的光源器件。

关键词：电流分布边发光侧向 gaas-gaalas 光波通信系统光通信系统几何尺寸

gaas选择性热氧化——一种用于gaas-gaalas条形激光器与半导体集成光学的新工艺

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激光 1980年第Z1期 120-121页

作者：刘弘度章蓓王德煌陈娓兮北京大学物理系

Ⅲ一Ⅴ族化合物gaas是半导体激光器与集成光学的重要衬底材料,已研制成激光器、调制器、探测器、光波导等,并已报导了用gaas材料制成的单片集成光路.为了进一步发展半导体激光器和集成光学,也需要研究新的工艺技术,如近年报导的择优腐... 详细信息

Ⅲ一Ⅴ族化合物gaas是半导体激光器与集成光学的重要衬底材料,已研制成激光器、调制器、探测器、光波导等,并已报导了用gaas材料制成的单片集成光路.为了进一步发展半导体激光器和集成光学,也需要研究新的工艺技术,如近年报导的择优腐蚀技术和选择性分子束外延生长技术等.gaas的热氧化是在普通的扩散炉内在空气中进行的.氧化温度为495℃左右,氧化时间从2小时至72小时不等.氧化后的薄膜厚度用金相显微镜观察样品剖面和干涉光谱的测量测定,结果表明在495℃下P型、N型以及半绝缘gaas的热氧化速率无明显差别,[100]晶向与[110]晶向的氧化速率也无显著差异,495℃长时间热氧化的生长速率符合线性规律,与Murarka的观察相一致,估算的生长速率约340?/hr.利用X光衍射仪测量了热氧化膜的X光衍射谱,并用红外分光光度计测量了热氧化膜的红外吸收光谱,两个测量结果都表明热氧化

关键词： gaas-gaalas 集成光学薄膜光电子学热氧化膜光激射器电子器件激光器

条形gaas-gaalas双异质结激光器的发射光谱特性

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中国激光 1983年第3期 164-167页

作者：詹素贞永川光电研究所

介绍条形gaas—gaalas双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时,波长向短波方向漂移。热阻较大的器件,实验的结果与以上结... 详细信息

介绍条形gaas—gaalas双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时,波长向短波方向漂移。热阻较大的器件,实验的结果与以上结论相反。

关键词：纵模发射光谱轴向模激光模式激光器光激射器电子器件横模 gaas-gaalas 光谱特性

具有输出光波导结构的光通信应用的高速gaas-gaalas双异质结发光二极管

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半导体光电 1983年第1期 85-86页

作者： Pang Yong-xiu,付灿鑫上海冶金所 (中国)

已有一些作者报道了gaas-gaalas双异质结侧面发射器件。本文叙述了一种具有输出光波导和限制电流的反向p-n结的高速gaas-gaalas双异质结侧面发光二极管（LED）(见图1)。这种器件有中等掺杂和薄有源层,因而兼顾了高速和大功率的优越性。... 详细信息

已有一些作者报道了gaas-gaalas双异质结侧面发射器件。本文叙述了一种具有输出光波导和限制电流的反向p-n结的高速gaas-gaalas双异质结侧面发光二极管（LED）(见图1)。这种器件有中等掺杂和薄有源层,因而兼顾了高速和大功率的优越性。在2KA/cm2的电流密度时,器件的上升时间为3ns（见图2）。图3说明上升时间与注入电流密度的相应变化。图4表示器件的频率响应,实验数据同计算值良好一致。图5表示在不同电流时的LED输出光功率。辐射度超过1100W/Sr·cm2。在实验室里工作1×10～4小时后,光功率无明显变化。为了减少有源层中的自吸收损失,采用

关键词：双异质结发光二极管结型发光器件 gaas-gaalas

具有选择性掩蔽热氧化(STO)结构的条形gaas-gaalas双异质结激光器

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半导体光电 1981年第2期 14-17页

作者：章蓓刘弘度王德煌陈娓兮北京大学物理系

我们在液相外延生长的四层结构gaas-gaalas外延片上,用选择性掩蔽热氧化技术(简称STO技术),制备了条形gaas-gaalas双异质结(DH)激光器,这种技术采用条形Au-Cr复合金属膜作为掩膜,令外延片在空气中约500℃下进行热氧化,利用热氧化对gaas-... 详细信息

我们在液相外延生长的四层结构gaas-gaalas外延片上,用选择性掩蔽热氧化技术(简称STO技术),制备了条形gaas-gaalas双异质结(DH)激光器,这种技术采用条形Au-Cr复合金属膜作为掩膜,令外延片在空气中约500℃下进行热氧化,利用热氧化对gaas-gaalas多层结构的选择性,可以用同样条宽的金属掩膜得到不同宽度的条形区。这种选择性热氧化技术的优点是:第一,工艺简单,除液相外延外,不需要复杂的工艺设备与工序。金属掩膜Au-Cr既是热氧化掩膜,又是P型gaas的欧姆接触电极,可在工艺中一步完成;第二,不需要过于苛刻的光刻精度就可获得条宽小至2μm以下的窄条形STO结构激光器,其剖面如图l所示,

关键词：激光器光激射器电子器件 STO gaas-gaalas 热氧化