具有输出光波导结构的光通信应用的高速GaAs-GaAlAs双异质结发光二极管
作者机构：上海冶金所 (中国)
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1983年第1期
页 面：85-86页
主 题：双异质结 发光二极管 结型发光器件 GaAs-GaAlAs
摘 要：已有一些作者报道了GaAs-GaAlAs双异质结侧面发射器件。本文叙述了一种具有输出光波导和限制电流的反向p-n结的高速GaAs-GaAlAs双异质结侧面发光二极管（LED）(见图1)。这种器件有中等掺杂和薄有源层,因而兼顾了高速和大功率的优越性。在2KA/cm2的电流密度时,器件的上升时间为3ns（见图2）。图3说明上升时间与注入电流密度的相应变化。图4表示器件的频率响应,实验数据同计算值良好一致。图5表示在不同电流时的LED输出光功率。辐射度超过1100W/Sr·cm2。在实验室里工作1×10～4小时后,光功率无明显变化。为了减少有源层中的自吸收损失,采用
同方期刊数据库