检索结果-南通市图书馆

gaas fet噪声系数(≤1.0dB)的测量和误差分析

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固体电子学研究与进展 1984年第1期 49-56页

作者：任国屋

本文简述gaas fet噪声系数（≤1.0dB）的测量原理、匹配网络、测量方法以及测量误差分析。对WC514型gaas fet在4GHz下测量,最小噪声系数Fmin≤1.0dB,其测量误差为±0.20dB。

关键词：噪声系数测量原理测量误差下式损耗损失消耗 gaas fet fet 数值分析误差分析

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gaas fet’s的有限元二维数值分析

Journal of Semiconductors 1984年第2期 178-188页

作者：汪正孝中国科学院半导体研究所

本文提出了一个采用有限元方法,适用于 gaas fet’s 的二维数值分析的方法和程序.由于采用了与传统的Gummel算法有所不同的计算方法,使计算过程得到简化,计算工作量大为减少.采用本文的方法,即使在网格点总数与文献相比大为减少的情况下... 详细信息

本文提出了一个采用有限元方法,适用于 gaas fet’s 的二维数值分析的方法和程序.由于采用了与传统的Gummel算法有所不同的计算方法,使计算过程得到简化,计算工作量大为减少.采用本文的方法,即使在网格点总数与文献相比大为减少的情况下,对典型的gaasfet’s的计算结果仍能与文献报道的其它二维分析结果和实验数据取得较好的一致.

关键词：网格点线代数方程组二维分析文献报道二维泊松方程 Poisson方程 gaas fet 有限元数值分析数学分析

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gaas fet振荡器的信号和噪声性能

微纳电子技术 1987年第1期 18-24页

作者： R.A.Pucel 袁明文

本文概论砷化镓场效应管作为非线性器件的工作原理,着重论述它作为振荡器元件时的性质。振荡器的性能特性将是研究的重点,还特别注意产生近载波噪声的机理。

关键词：振荡器单片电路载波噪声电子设备 gaas fet fet 噪声性能

gaas fet低噪声放大器耐RF输入功率试验研究

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微纳电子技术 1987年第2期 17-21页

作者：周春林庄燮彬王连忠

本文从器件、电路、筛选等角度研究了gaas fet低噪声放大器耐RF输入功率问题;给出了有关实验数据;分析了场放的烧毁机理。实验结果表明,采用CX502型gaas fet器件组装的场放。可以达到国外1979年高可靠低噪声场放耐RF输入功率指标。

关键词：输入功率噪声场器件高可靠 gaas fet 低噪声放大器线路放大器 fet RF

用薄膜集中元件的S和X波段gaas fet混频器

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无线电通信技术 1984年第5期 71-77页

作者：武兆才

本文介绍了使用单栅砷化镓fet的2和11GHz混频器的设计和性能。该混频器的本振信号是加到fet源极,匹配电路是由在氧化铝基片上制作的薄膜集中元件构成。在11GHz频段达到单边带噪声系数为6.2dB,相应的变频增益为10dB。在2GHz频段,在40％... 详细信息

本文介绍了使用单栅砷化镓fet的2和11GHz混频器的设计和性能。该混频器的本振信号是加到fet源极,匹配电路是由在氧化铝基片上制作的薄膜集中元件构成。在11GHz频段达到单边带噪声系数为6.2dB,相应的变频增益为10dB。在2GHz频段,在40％的带宽内,单边带噪声系数小于6dB,变频增益大于8dB。

关键词：混频器频段本振信号变频增益 gaas fet 单边带噪声系数波段

采用介质谐振器的C波段高稳定、低噪声gaas fet集成振荡器

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现代雷达 1980年第3期 83-92页

作者：是桂凤

用BaO-TiO2陶瓷介质谐振器稳频的gaas fet集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为1... 详细信息

用BaO-TiO2陶瓷介质谐振器稳频的gaas fet集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为17％,频率温度系数低达2.3ppm/℃。由于稳频使调频噪声电平减小30分贝以上。精确地测量了振荡器和谐振器的动态特性,以确定等效电路形式。介绍了基于这些等效电路形式的大信号设计理论,以便在振荡器和谐振腔之间实现最佳耦合条件。本稳频振荡器的性能可满足微波通讯系统的要求。

关键词：介质谐振器高稳定氧化铝衬底 gaas fet 稳频振荡器低噪声 fet 波段

2～18GHz的双栅gaas fet单片分布放大器

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电子信息对抗技术 1986年第3期 42-50页

作者：蒋惠英

本文介绍2～1(?)GHZ 的单片分布放大器,它有大于6dB 增益,±0.5dB 的增益平坦度,低于2.0:1的电压驻波比。测得的噪声系数低于7.5dB,输出功率大于17dBm。这种放大器的设计是用双栅gaas fet 代替单栅 fet,使在整个设计频带内的增益达到最... 详细信息

本文介绍2～1(?)GHZ 的单片分布放大器,它有大于6dB 增益,±0.5dB 的增益平坦度,低于2.0:1的电压驻波比。测得的噪声系数低于7.5dB,输出功率大于17dBm。这种放大器的设计是用双栅gaas fet 代替单栅 fet,使在整个设计频带内的增益达到最大值。本文还给出了栅——阴级联放大器的性能。

关键词：分布放大器噪声系数宽带放大器双栅 gaas fet 单片 fet