GaAS FET’s的有限元二维数值分析
Two Dimensional Numerical Analysis of GaAs FET’s by Using Finite-Element Method作者机构：中国科学院半导体研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1984年第2期
页 面：178-188页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：网格点 线代数方程组 二维分析 文献报道 二维 泊松方程 Poisson方程 GaAS FET 有限元 数值分析 数学分析
摘 要：本文提出了一个采用有限元方法,适用于 GaAs FET’s 的二维数值分析的方法和程序.由于采用了与传统的Gummel算法有所不同的计算方法,使计算过程得到简化,计算工作量大为减少.采用本文的方法,即使在网格点总数与文献相比大为减少的情况下,对典型的GaAsFET’s的计算结果仍能与文献报道的其它二维分析结果和实验数据取得较好的一致.
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