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future applications of gan electron devices

半导体技术 2008年第S1期33卷 72-74,79页

作者： Ohno Yasuo Institute of Technology and Science the University of Tokushima

0 Introduction Fifteen years have passed since the first Algan/gan HFET was reported in *** FETs have already commercialized as microwave power devices,but volume production has not yet *** main application field is mobile phone base *** such applications,GaAs power transistors and silicon LDMOS have already been ***,advantages compared with these existing devices will be required,such as high efficiency,low distortion,low noise,high reliability and,especially,low ***,the latter two items are normally difficult for devices using new materials.

关键词： gan In future applications of gan electron devices

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Future Applications of GaN Electron Devices

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者： Ohno Yasuo Institute of Technology and Science the University of Tokushima

0 Introduction Fifteen years have passed since the first A1 gan/gan HFET was reported in *** FETs have already commercialized as microwave power devices,but volume production has not yet *** main application field is ... 详细信息

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