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Forming-free flexible memristor with multilevel storage for neuromorphic computing by full pvd technique

Journal of Materials Science & Technology 2021年第1期60卷 21-26页

作者： Tian-Yu Wang Jia-Lin Meng Qing-Xuan Li Lin Chen Hao Zhu Qing-Qing Sun Shi-Jin Ding David Wei Zhang State Key Laboratory of ASIC and System School of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433China

Flexible resistive random access memory(RRAM) has shown great potential in wearable *** tunable multilevel resistance states,flexible memristors could be used to mimic the bio-synapses for constructing high-efficient wearable neuromorphic computing ***,the flexible substrate has intrinsic disadvantages including low-tempe rature tolerance and poor complementary metal-oxidesemiconductor(CMOS) compatibility,which limit the development of flexible *** physical vapor deposition(pvd) fabrication process could prepare RRAM without requirement of further treatment,which greatly simplified preparation steps and reduced the production *** the other hand,forming process,as a common pre-programing operation in RRAM,increases the energy consumption and limits the application scenarios of ***,a NiO-based forming-free RRAM with low set voltage was fabricated via full pvd *** flexible device exhibited reliable re sistive switching characteristics under flat state even compre s sive and tensile states(R=10 mm).The tunable multilevel resistance states(5 levels) could be obtained by controlling the compliance ***,synaptic plasticities also were verified in this *** flexible NiO-based RRAM shows great potential in wearable forming-free multibit memo ry and neuromorphic computing electronics.

关键词： full pvd process Flexible memristor Forming-free Multilevel storage Neuromorphic application

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