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Impact of parameter fluctuations on RF stability performance of dg tunnel fet

Journal of Semiconductors 2015年第8期36卷 78-82页

作者： K Sivasankaran P S Mallick School of Electronics Engineering VIT University School of Electrical Engineering VIT University

This paper presents the impact of parameter fluctuation due to process variation on radio frequency （RF） stability performance of double gate tunnel fet （dg Tfet）. The influence of parameter fluctuation due to process variation leads to dg Tfet performance degradation. The RF figures of merit （FoM） such as cut-off frequency （ft）, maximum oscillation frequency （fmax） along with stability factor for different silicon body thickness, gate oxide thickness and gate contact alignment are obtained from extracted device parameters through numerical simulation. The impact of parameter fluctuation of silicon body thickness, gate oxide thickness and gate contact alignment was found significant and the result provides design guidelines ofdg Tfet for RF applications.

关键词： dg tunnel fet radio frequency stability factor numerical simulation

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