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130 nm SOI d触发器链空间静电放电效应和单粒子效应对比试验研究

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2191-2200页

作者：王璇陈睿韩建伟杨涵袁润杰陈钱梁亚楠蔡莹马英起蔡明辉中国科学院国家空间科学中心北京100190 中国科学院大学北京100049

空间静电放电效应(SESd)和单粒子效应(SEE)是卫星设备异常的两个重要原因,但难以精确判断航天应用中产生的故障是由何种效应所导致。以130 nm SOI工艺d触发器(d flip-flop)链为试验对象,利用静电放电发生器和脉冲激光试验装置,通过改变... 详细信息

空间静电放电效应(SESd)和单粒子效应(SEE)是卫星设备异常的两个重要原因,但难以精确判断航天应用中产生的故障是由何种效应所导致。以130 nm SOI工艺d触发器(d flip-flop)链为试验对象,利用静电放电发生器和脉冲激光试验装置,通过改变辐射源能量、测试模式、拓扑结构以及抗辐射加固结构等试验变量,试验研究SESd和SEE引起软错误的异同规律特征,其试验结果可为故障甄别及防护设计提供支撑。

关键词： d触发器单粒子效应空间静电放电效应 SOI

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基于a-IGZO TFTs的低功耗d触发器设计

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华南理工大学学报（自然科学版） 2017年第3期45卷 42-47页

作者：姚若河林少龙华南理工大学电子与信息学院广东广州510640

设计了一个基于Pseudo-CMOS逻辑门的低功耗异步复位d触发器电路.该d触发器全部由n型a-IGZO TFTs(薄膜晶体管)构成,采用动态负载替代Pseudo-CMOS拓扑中的二极管连接负载,通过减少电路导通的概率来降低静态功耗.电路的输出级为锁存器,通... 详细信息

设计了一个基于Pseudo-CMOS逻辑门的低功耗异步复位d触发器电路.该d触发器全部由n型a-IGZO TFTs(薄膜晶体管)构成,采用动态负载替代Pseudo-CMOS拓扑中的二极管连接负载,通过减少电路导通的概率来降低静态功耗.电路的输出级为锁存器,通过反馈通路减少由动态负载造成的输出摆幅降低对延迟的影响.将该d触发器应用于环行移位寄存器的设计中,结果表明,该触发器电路可有效降低或非门逻辑电路中的静态功耗.

关键词：薄膜晶体管 d触发器动态负载移位寄存器

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四值绝热动态d触发器开关级设计

深圳大学学报（理工版） 2011年第3期28卷 264-270页

作者：汪鹏君高虹宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211

研究绝热电路和多值触发器,提出一种四值绝热动态d触发器设计方案.该方案采用多阈值金属氧化物半导体MOS管控制技术和开关信号理论,推导四值绝热动态d触发器文字运算电路结构式,由文字运算电路控制四值绝热逻辑信号产生,实现动态d触发... 详细信息

研究绝热电路和多值触发器,提出一种四值绝热动态d触发器设计方案.该方案采用多阈值金属氧化物半导体MOS管控制技术和开关信号理论,推导四值绝热动态d触发器文字运算电路结构式,由文字运算电路控制四值绝热逻辑信号产生,实现动态d触发器的四值输出,并在此基础上设计具有记忆功能的触发型四值绝热正循环门.通过PSpice模拟软件验证该设计电路逻辑功能正确,在55.6 MHz工作频率下,与常规CMOS四值动态d触发器相比,节省功耗约90%.

关键词：电路与系统开关信号理论多值逻辑 d触发器低功耗电路设计

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高性能半静态双边沿d触发器

电子与信息学报 2006年第11期28卷 2186-2190页

作者：王伦耀夏银水叶锡恩宁波大学信息学院宁波315211

在分析现有静态结构双边沿触发器和动态结构双边沿触发器优缺点的基础上,该文提出了半静态结构双边沿触发器设计。PSPICE模拟表明,新设计功能正确。与以往一些设计相比,新设计在功耗、速度、功耗延迟积以及减少MOS晶体管使用数目等方面... 详细信息

在分析现有静态结构双边沿触发器和动态结构双边沿触发器优缺点的基础上,该文提出了半静态结构双边沿触发器设计。PSPICE模拟表明,新设计功能正确。与以往一些设计相比,新设计在功耗、速度、功耗延迟积以及减少MOS晶体管使用数目等方面都具有明显的优势,从而使新设计具有良好的综合性能。该文的另一个贡献是对双边沿触发器性能的测试方法进行了探讨,提出了测试双边沿触发器最高频率的新方法。

关键词：集成电路半静态 d触发器低功耗双边沿触发器

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基于RTd和HEMT的d触发器设计

浙江大学学报（理学版） 2017年第6期44卷 718-723页

作者：冯杰姚茂群杭州师范大学国际服务工程学院浙江杭州311121

共振隧穿二极管(RTd)作为一种新的量子器件和纳米电子器件,具有负内阻、电路功耗低、工作频率高、双稳态和自锁等特性,可突破CMOS工艺尺寸的物理极限,在数字集成电路领域有更为广阔的发展空间.针对RTd的特性,采用3个RTd串联的单双稳态... 详细信息

共振隧穿二极管(RTd)作为一种新的量子器件和纳米电子器件,具有负内阻、电路功耗低、工作频率高、双稳态和自锁等特性,可突破CMOS工艺尺寸的物理极限,在数字集成电路领域有更为广阔的发展空间.针对RTd的特性,采用3个RTd串联的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)和类SR锁存器,设计了基于RTd和HEMT(高电子迁移率晶体管)的d触发器.较于其他研究的d触发器,该d触发器能有效降低电路的器件数量和复杂度,且能抗S、R信号的延时差异干扰,具有更稳健的输出.

关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管单双稳态转换逻辑单元 d触发器

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基于d触发器的物理不可克隆函数

浙江大学学报（理学版） 2019年第1期46卷 32-38页

作者：张培勇袁晓东王雪洁冯忱晖李宜珂浙江大学超大规模集成电路研究所浙江杭州310027 浙江大学城市学院信息与电器工程学院浙江杭州310015 福州大学物理与信息工程学院福建福州350002

物理不可克隆函数(PUF)是指利用半导体制造工艺中不可避免的固有偏差,产生具有独特性和稳定性的响应结果,使集成电路芯片具有不可克隆的特性。提出了一种新型的基于d触发器的物理不可克隆函数。利用d触发器建立的时间随机分布函数产生PU... 详细信息

物理不可克隆函数(PUF)是指利用半导体制造工艺中不可避免的固有偏差,产生具有独特性和稳定性的响应结果,使集成电路芯片具有不可克隆的特性。提出了一种新型的基于d触发器的物理不可克隆函数。利用d触发器建立的时间随机分布函数产生PUF激励输出响应,并通过d触发器对的差分结构提高输出结果的准确性。实验结果显示,此PUF的性能近乎理想。与主流PUF相比,基于d触发器的PUF明显增强了设计的唯一性。

关键词：物理不可克隆函数 d触发器信息安全

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d触发器组成的（2N＋1）／2分频电路

电子技术（上海） 1995年第2期22卷 27-30页

作者：苏成富

文章介绍了用ＣＭＯＳ双Ｄ触发器ＣＣ４０１３和反馈控制构成（２Ｎ＋１）／２分频电路的新方法，并详细介绍了３／２、５／２、７／２和９／２分频电路。

关键词： d触发器分频电路反馈控制

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一种抗单粒子全加固d触发器的设计

固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 403-406,464页

作者：张英武袁国顺中国科学院微电子研究所北京100029

采用当前成熟的两种抗单粒子翻转锁存器构成了主从d触发器,在d触发器加固设计中引入了时钟加固技术,对输出也采用了加固设计。仿真对比显示本设计的加固效果优于国内同类设计。

关键词：单粒子效应设计加固 d触发器时钟加固

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基于MOS-NdR负阻器件的d触发器设计

浙江大学学报（理学版） 2013年第6期40卷 641-645,649页

作者：向光平沈继忠浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027

负阻器件由于在电流-电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NdR及单双稳态转换... 详细信息

负阻器件由于在电流-电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NdR及单双稳态转换逻辑单元MOBILE的工作特性,设计了一个时钟上升沿触发的d触发器.采用TSMC 0.18μm工艺对所设计的电路进行HSPICE仿真,仿真结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能.与基于MOS-NdR负阻器件的同类触发器相比,新设计的d触发器具有更稳健的输出和较强的抗干扰能力.

关键词：负阻器件 MOS-NdR MOBILE d触发器