基于a-IGZO TFTs的低功耗D触发器设计

作     者：姚若河 林少龙 YAO Ruo-he LIN Shao-long

作者机构：华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 

出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2017年第45卷第3期

页      面：42-47页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61274085) 广东省科技计划项目(2015B090909001)~~ 

主　　题：薄膜晶体管 D触发器 动态负载 移位寄存器 

摘      要：设计了一个基于Pseudo-CMOS逻辑门的低功耗异步复位D触发器电路.该D触发器全部由n型a-IGZO TFTs(薄膜晶体管)构成,采用动态负载替代Pseudo-CMOS拓扑中的二极管连接负载,通过减少电路导通的概率来降低静态功耗.电路的输出级为锁存器,通过反馈通路减少由动态负载造成的输出摆幅降低对延迟的影响.将该D触发器应用于环行移位寄存器的设计中,结果表明,该触发器电路可有效降低或非门逻辑电路中的静态功耗.