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current Spreading Effects in Vertical GaN-Based Light-Emitting Diode on Si(111) Substrate

Chinese Journal of Electronics 2016年第4期25卷 672-677页

作者： WEI Jingting ZHANG Baijun WANG Gang Guangdong Polytechnic Institute The Open University of Guangdong School of Microelectronics State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-sen University

The optimal design of Ga N-based Lightemitting diode(LED) is important for its *** this work,a new three-Dimensional(3D) circuit model with a resistor network is developed to study the current distribution in the active layer of vertical conducting Ga Nbased LED grown on Si(111) substrate with different structures and electrode *** consists of resistance of Transparent conductive layer(TCL),resistance of epitaxial layer,intrinsic diodes presenting the active layer,and Al N/Si junction as which the multilayer of Al N/Si is *** results of current distribution in active layers of two kinds of LED structures show that current distribution uniformity is greatly affected by the electrode pattern and the LED ***,the experimentally measured light emission uniformity agrees well with simulation *** electrical and optical characteristics of LED are obviously affected by the current distribution uniformity.

关键词： Light-emitting diodes current distribution uniformity Circuit model

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