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Fabrication and electrical properties of p-CuAlO_2/(n-, p-)Si heterojunctions

Journal of Semiconductors 2014年第4期35卷 32-36页

作者：吴素贞邓赞红董伟伟邵景珍方晓东 Anhui Provincial Key Laboratory of Photonic Devices and Materials Anhui Institute of Optics and Fine MechanicsChinese Academy of Sciences Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells Chinese Academy of Sciences

CuA1O2 thin films have been prepared by the chemical solution deposition method on both n-Si and p-Si substrates. X-ray diffraction analysis indicates that the obtained CuA1O2 films have a single delafossite structure. The current transport properties of the resultant p-CuA1O2/n-Si and p-CuA1O2/p-Si heterojunctions are investigated by current-voltage measurements. The p-CuA1O2/n-Si has a rectifying ratio of -35 within the applied voltages of -3.0 to ＋3.0 V, while the p-CuA1O2/p-Si shows Schottky diode-like characteristics, dominated in forward bias by the flow of space-charge-limited current.

关键词： cuaio2 heterojunction current-voltage characteristic

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