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Improved resistive switching stability of Pt/ZnO/coo_x /ZnO/Pt structure for nonvolatile memory devices

Rare Metals 2013年第6期32卷 544-549页

作者： Guang Chen Cheng Song Feng Pan Laboratory of Advanced Materials Science and Engineering Tsinghua University

For Pt(Ag)/ZnO single-layer/Pt structure,random 10 formation and rupture of conductive filaments composed by oxygen vacancies or metallic ions often cause dispersion problems of resistive switching(RS)parameters,which is disadvantageous to devices *** this study,ZnO/coox/ZnO(ZCZ)tri-layers were utilized as the switching layers to investigate their RS properties as compared with ZnO-based single-layer *** is interestingly noted that Pt/ZCZ/Pt devices show quite stable bipolar RS behaviors with little resistance value fluctuations compared to Ag/ZCZ/Pt devices and Pt(Ag)/ZnO/Pt devices,which minimize the dispersion of the resistances of *** highly stable RS effect of Pt/ZCZ/Pt structure would be promising for high density memory devices.

关键词： Resistive random access memory Conductive filaments ZnO coo x

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