检索结果-南通市图书馆

稀有金属材料与工程 2008年第12期37卷 2139-2142页

作者：栾丽君介万奇张继军西北工业大学陕西西安710072

常温下测量了cd0.8mn0.2te晶片和多个掺In浓度不同的cd0.8mn0.2te（以下简称cd0.8mn0.2te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，cd0.8mn0.2te和cd0.8mn0.2te：In的Verdet常数随之增大。... 详细信息

常温下测量了cd0.8mn0.2te晶片和多个掺In浓度不同的cd0.8mn0.2te（以下简称cd0.8mn0.2te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，cd0.8mn0.2te和cd0.8mn0.2te：In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关：当光子能量在1．63～1．72eV范围内逐渐增加时，未掺In的测量值的变化范围是710～1820（°）／cm·T；当In浓度为8．96×10^16 atoms／cm^3时，Verdet常数增大到720-1960（°）／cm·T：当In浓度n分别为2．39×10^17，4．48×10^18 atoms／cm^3时，Verdet常数分别减小到660～1630，490-1090（°）／cm·T；当In浓度达到2．99×10^19 atoms／cm^3时，在1．63～1．70eV的光子能量范围内，Verdet常数减小到460～740（°）／cm·T。低掺In条件下，Verdet常数的增大是由于价带电子数增多，价带类P电子与mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强引起的；在高掺In量下，由于导带类s电子与mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强，导带能级分裂进一步减小，导致cd0.8mn0.2te：In的Verdet常数减小。

关键词： cd0.8mn0.2te:in 法拉第旋转谱 Verdet常数交换相互作用

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