In掺杂对Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te巨法拉第效应的影响

作     者：栾丽君 介万奇 张继军 Luan Lijun;Jie Wanqi;Zhang Jijun

作者机构：西北工业大学陕西西安710072 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2008年第37卷第12期

页      面：2139-2142页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(50336040) 

主　　题：Cd0.8Mn0.2Te:In 法拉第旋转谱 Verdet常数 交换相互作用 

摘      要：常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te（以下简称Cd0.8Mn0.2Te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关：当光子能量在1．63～1．72eV范围内逐渐增加时，未掺In的测量值的变化范围是710～1820（°）／cm·T；当In浓度为8．96×10^16 atoms／cm^3时，Verdet常数增大到720-1960（°）／cm·T：当In浓度n分别为2．39×10^17，4．48×10^18 atoms／cm^3时，Verdet常数分别减小到660～1630，490-1090（°）／cm·T；当In浓度达到2．99×10^19 atoms／cm^3时，在1．63～1．70eV的光子能量范围内，Verdet常数减小到460～740（°）／cm·T。低掺In条件下，Verdet常数的增大是由于价带电子数增多，价带类P电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强引起的；在高掺In量下，由于导带类s电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强，导带能级分裂进一步减小，导致Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数减小。