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机构

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作者

  • 1 篇 zhaoqi sun
  • 1 篇 dongqi xiao
  • 1 篇 juan gao
  • 1 篇 gang he

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检索条件"主题词=Carrier transportation mechanism"
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Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation
Modification of electrical properties and carrier transporta...
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安徽省第四届（2016年）“卓凌杯”真空科技青年创新大赛暨学术研讨会
作者： Juan Gao Gang He Zhaoqi Sun Dongqi Xiao School of physics and Materials Science Radiation Detection Materials & Devices Lab Anhui University School of Sciences Anhui University of Science and Technology
Effect of AlO incorporation on the electrical properties and carrier transportation of atomic-layer-deposited(ALD) Hf Al O high-k gate dielectrics on Si substrates have been investigated. Electrical analyses indicate ... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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