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CVD法工业化生产纳米碳管的研究

化工新型材料 2007年第S1期35卷 17-19页

作者：余雪里徐向菊梁英许雪笙贾志杰华中师范大学纳米科技研究院武汉430079 山西潞安集团聚氯乙烯项目筹备处潞安046204

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h。TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度。同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间... 详细信息

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h。TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度。同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和原料气流量对纳米碳管的影响。

关键词：纳米碳管工业化 CVD法

Co/MgO固体催化剂CVD法合成单壁纳米碳管的研究

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浙江大学学报（工学版） 2003年第6期37卷 729-733页

作者：沈利华张孝彬宁月生孔凡志杨晓芳王幼文陈卫祥浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027 浙江大学分析测试中心浙江杭州310027 浙江大学化学系浙江杭州310027

分别用浸渍法、离子吸附沉淀法、溶胶-凝胶法制备了四组Co/MgO催化剂.1000℃时,这些催化剂均能在CH4气氛下合成单壁纳米碳管,产量受催化剂活性组分尺寸影响明显.经透射电子显微镜(TEM)和热重分析(TGA)结果发现,浸渍法中以乙醇作为溶剂... 详细信息

分别用浸渍法、离子吸附沉淀法、溶胶-凝胶法制备了四组Co/MgO催化剂.1000℃时,这些催化剂均能在CH4气氛下合成单壁纳米碳管,产量受催化剂活性组分尺寸影响明显.经透射电子显微镜(TEM)和热重分析(TGA)结果发现,浸渍法中以乙醇作为溶剂制备的催化剂所制得的产物中含有最多的单壁纳米碳管;离子吸附沉淀法所得的催化剂因沉淀的活性组分颗粒过大而不适合于单壁纳米碳管的生长;溶胶-凝胶法通过优化工艺将有望获得高产率的制备单壁碳管的催化剂.TEM和电子衍射观测同时表明所制得的单壁纳米碳管的直径都分布在1nm左右,且大部分聚集成束.

关键词：单壁纳米碳管化学气相沉积透射电子显微镜固体催化剂 CVD法合成

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CVD法工业化生产纳米碳管的研究

化工新型材料 2006年第4期34卷 14-16页

作者：余雪里徐向菊梁英许雪笙贾志杰华中师范大学纳米科技研究院武汉430079 山西潞安集团聚氯乙烯项目筹备处潞安046204

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h.TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度.同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和... 详细信息

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h.TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度.同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和原料气流量对纳米碳管的影响.

关键词：纳米碳管工业化 CVD法

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CVD法生长ZnSe的工艺分析

人工晶体学报 2004年第2期33卷 235-237页

作者：王向阳方珍意蔡以超张力强肖红涛中非人工晶体研究院北京100018

采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长cvdZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精... 详细信息

采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长cvdZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%。

关键词： CVD法 ZnSe 温度压力透过率化学气相沉积光学吸收系数

用热CVD法超微粒子涂覆装置制取SiC-Si_3N_4

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稀有金属快报 2008年第8期27卷 42-43页

作者：吴全兴

SiC和Si3N4作为高温材料引人注目.由于SiC在氧化性气氛中会升华，因此加入（低温下强度较差的）si3N。制成SiC—Si3N4复合粉体，使其在氧化性气氛中具有耐热性。但这种复合粉体烧结性差，为此，人们进行了各种探索，以期望它在原料粉体... 详细信息

SiC和Si3N4作为高温材料引人注目.由于SiC在氧化性气氛中会升华，因此加入（低温下强度较差的）si3N。制成SiC—Si3N4复合粉体，使其在氧化性气氛中具有耐热性。但这种复合粉体烧结性差，为此，人们进行了各种探索，以期望它在原料粉体阶段就具有分散性，从而改善其烧结性。如探讨了纳米粉体的开发，以及电炉法、等离子法、激光法等多种SiC—Si3N4复合粉体的配制方法。

关键词： Si3N4 SiC 涂覆装置超微粒子 CVD法氧化性气氛复合粉体制取

话说化学气相沉淀法(也称CVD法)合成钻石

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超硬材料工程 2012年第6期24卷 52-55页

作者：沈才卿中宝协人工宝石专业委员会

化学气相沉淀法，英文名称Chemical Vapor Deposition，简称CVD法，可以用于人工合成钻石。最近，南于技术的突破，可以生产出大颗粒的钻石，国检中心在近期日常委托检验中，陆续发现了两批次cvd合成钻石，证明cvd合成钻石已经进入国内... 详细信息

化学气相沉淀法，英文名称Chemical Vapor Deposition，简称CVD法，可以用于人工合成钻石。最近，南于技术的突破，可以生产出大颗粒的钻石，国检中心在近期日常委托检验中，陆续发现了两批次cvd合成钻石，证明cvd合成钻石已经进入国内市场，引起了大家的关切。笔者从宝石人工合成的角度，介绍一下化学气相沉淀法（也称CVD法）合成钻石的技术。

关键词：化学气相沉淀法合成钻石 CVD法人工合成英文名称委托检验国内市场大颗粒

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CVD法在氧化铝微滤膜上制备氧化锌抑菌膜

膜科学与技术 2003年第6期23卷 69-72页

作者：黄肖容隋贤栋华南理工大学化学工程系广州510640 华南理工大学机电工程学院广州510640

以高纯氧化铝膜管为基体,以金属锌粉为原料,在高温下,用热CVD法在基体表面沉积形成了良好抑菌性能的氧化锌膜.反应温度和时间会影响表面氧化锌晶粒的生长,在1000℃的合适cvd温度下,反应时间为5min时,在氧化铝多孔膜管的内表面形成了一... 详细信息

以高纯氧化铝膜管为基体,以金属锌粉为原料,在高温下,用热CVD法在基体表面沉积形成了良好抑菌性能的氧化锌膜.反应温度和时间会影响表面氧化锌晶粒的生长,在1000℃的合适cvd温度下,反应时间为5min时,在氧化铝多孔膜管的内表面形成了一层膜厚约20～30μm的氧化锌膜层,氧化锌晶粒沿着与基体表面垂直的方向规则地生长.实验发现负载氧化锌膜的高纯氧化铝膜管有良好的抑制细菌繁殖的作用.

关键词： CVD法氧化铝微滤膜氧化锌抑菌膜

微波等离子CVD法在石英玻璃上生长金刚石薄膜

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材料保护 2002年第10期35卷 7-8页

作者：朱建勇梅炳初李力柴欣武汉理工大学复合材料复合新技术国家重点实验室湖北武汉430070

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜 ,用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜 ,并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析 ,指出其形成中间层SiO2 /Si/SiC/C(金刚石 )是在石英玻璃上... 详细信息

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜 ,用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜 ,并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析 ,指出其形成中间层SiO2 /Si/SiC/C(金刚石 )是在石英玻璃上生长金刚石薄膜的关键。

关键词：微波等离子 CVD法石英玻璃生长金刚石薄膜化学气相沉积法 X射线衍射 Raman光谱光电子能谱

CVD法SiC连续纤维用炭芯的研究 Ⅳ. 大直径中间相沥青氧化纤维高温热处理的化学/物理效应

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石油学报（石油加工） 2001年第5期17卷 49-54页

作者：查庆芳张玉贞吴明铂朱星明石油大学重质油加工国家重点实验室山东东营257061 中国科学院山西煤炭化学研究所山西太原030001

考察了对大直径中间相沥青炭单丝 (LDMCF)的高温热处理 ,以及LDMCF与大直径中间相沥青纤维在不同氧化条件下的关系。结果表明 ,随着热处理温度和氧化恒温时间的增加 (氧化恒温时间最长达 8h) ,LDMCF的d0 0 2 和电阻率 (ρ)减小 ;LC0 0 2... 详细信息

考察了对大直径中间相沥青炭单丝 (LDMCF)的高温热处理 ,以及LDMCF与大直径中间相沥青纤维在不同氧化条件下的关系。结果表明 ,随着热处理温度和氧化恒温时间的增加 (氧化恒温时间最长达 8h) ,LDMCF的d0 0 2 和电阻率 (ρ)减小 ;LC0 0 2 、取向度、 g因子和力学性能相应提高 ,LDMCF从乱层碳结构逐渐过渡到石墨微晶结构。在相同热处理温度 (HTT)和氧化条件下 ,两种LDMCF具有不同的d0 0 2 、LC0 0 2 、取向度、 g因子、ρ和力学性能 ,其间的差异与常压和加压制备LDMCF的前驱体中间相沥青有关。

关键词：氧化电阻率力学性能取向度 CVD法碳化硅连续纤维炭芯