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仪表技术与传感器 2017年第1期 11-14页

作者：朱瑞丰周晓峰高守玮车录锋上海大学机电工程与自动化学院上海200070 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室上海200050

针对设计制作的硅三明治MEMS电容式加速度传感器,利用COMSOL软件建立了封装结构有限元模型,仿真分析了贴片工艺对传感器芯片变形的影响。通过对贴片前后传感器cv特性曲线的测试,发现贴片后传感器在测量cv特性曲线时中间质量块会经历平... 详细信息

针对设计制作的硅三明治MEMS电容式加速度传感器,利用COMSOL软件建立了封装结构有限元模型,仿真分析了贴片工艺对传感器芯片变形的影响。通过对贴片前后传感器cv特性曲线的测试,发现贴片后传感器在测量cv特性曲线时中间质量块会经历平动和转动的过程,曲线会出现明显拐点,提出了利用cv特性曲线计算贴片后传感器敏感质量块偏移大小和扭转角度的方法,通过该方法计算的结果与有限元仿真结果相符。

关键词：加速度传感器贴片工艺有限元仿真 cv特性

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频率对GM型半导体探测器cv特性的影响

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核电子学与探测技术 1985年第3期 158-161页

作者：宿昌厚北京核仪器厂

在反向偏压下,测试时所用的高频小信号频率超过一定值后,GM型探测器结电容测试值将下降。本文讨论了频率对cv特性影响的实验结果,并分析了其原因。指出最高可用的阈值频率fth取决于半导体耗尽区中的场强E。文中给出fth与E以及与电阻率... 详细信息

在反向偏压下,测试时所用的高频小信号频率超过一定值后,GM型探测器结电容测试值将下降。本文讨论了频率对cv特性影响的实验结果,并分析了其原因。指出最高可用的阈值频率fth取决于半导体耗尽区中的场强E。文中给出fth与E以及与电阻率和电压间的实验关系式,室温下fth可达1—4MHz。

关键词： cv特性阈值频率面垒探测器

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石墨烯射频场效应管的TCAD建模与性能研究

石墨烯射频场效应管的TCAD建模与性能研究

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作者：白斌辉陕西科技大学

学位级别：硕士

石墨烯(Graphene)独特的二维结构使其具有优异的电学性能,载流子迁移率可以达到200000 cm2/(V·s),极高的载流子迁移率以及亚微米量级的弹道输运使得石墨烯成为制作射频器件的理想材料。以石墨烯作为导电沟道的射频场效应管(Radio Frequ... 详细信息

石墨烯(Graphene)独特的二维结构使其具有优异的电学性能,载流子迁移率可以达到200000 cm2/(V·s),极高的载流子迁移率以及亚微米量级的弹道输运使得石墨烯成为制作射频器件的理想材料。以石墨烯作为导电沟道的射频场效应管(Radio Frequency Field Effect Transistor,RF FET)在混频器、振荡器、倍频器和放大器等领域有着广泛的应用前景。石墨烯射频场效应管通常以SiO2或SiC为衬底和栅绝缘介质,然而由于SiO2、SiC与石墨烯晶体结构存在的差异带来的晶格失配使得石墨烯射频场效应管射频特性并不理想,最高振荡频率fMAX低于特征频率(fT)。六方氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN)具有与石墨烯相似的二维平面原子结构,与石墨烯可以形成超级平坦界面,且界面不存在悬挂键和电荷陷阱,以h-BN作为衬底和栅介质有助于提高石墨烯中载流子的迁移率,进而可以提升石墨烯场效应管射频特性。本文采用Silvaco TCAD软件建立了顶栅结构石墨烯射频场效应管模型,对器件的性能进行了模拟计算,并研究了结构参数对器件性能的调控作用。主要工作如下:首先,建立了以SiO2作为栅绝缘介质和衬底的顶栅结构石墨烯射频场效应管(简称:SiO2/Graphene/SiO2结构)的器件模型。对模型的转移特性、输出特性、电容特性以及射频特性进行了模拟计算,阈值电压为0.52V,单位长度栅电容CG小于8.51×10-16 F/μm,特征频率fT为37.64 GHz、最大振荡频率fMAx为25.44 GHz。fT与fMAx和文献中报导的实验结果(fT为32 GHz,fMAX 为 21.5 GHz)接近。其次,建立了以h-BN作为栅绝缘介质和衬底的顶栅结构石墨烯射频场效应管(简称:h-BN/Graphene/h-BN结构)器件模型,结构参数与SiO2/Graphene/SiO2结构完全相同。模拟计算结果表明:该结构的阈值电压为0.48V,单位长度栅电容CG小于7.5× 10-16F/μm,特征频率fT高达58.79 GHz、最大振荡频率fMAX高达75.58 GHz。与SiO2/Graphene/SiO2结构相比,h-BN/Graphene/h-BN结构具有更优的射频特性。最后,对h-BN/Graphene/h-BN结构进行了深入研究。采用控制变量法模拟计算了栅长、栅介质层厚度、沟道长度和沟道掺杂浓度等模型参数对器件性能的调控作用,并对结果进行了分析与说明。沟道长度和栅长对跨导、寄生电容、频率特性有一定的影响,但影响较小。沟道掺杂浓度和栅介质厚度对跨导和寄生电容影响不大,对频率特性影响较大。当沟道掺杂浓度由 1×1015 cm-3 增大至 1×1016 cm-3 时,fMAX 由 57.13 GHz 增大至 75.58 GHz,/T由32.18 GHz增大至58.79 GHz;当栅介质厚度由0.08μm增大至0.10 μm 时,fMAX 由 98.76 GHz 减小至 75.58 GHz,fT 由 71.44 GHz 减小至58.79 GHz。

关键词：石墨烯射频场效应管六方氮化硼 TCAD建模直流特性 cv特性射频特性

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薄膜晶体管电容电压特性及其模型研究

薄膜晶体管电容电压特性及其模型研究

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作者：郭雪凯苏州大学

学位级别：硕士

本文主要介绍了薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的电容-电压(cv)特性,并建立了一个频率依赖的cv(f-cv)模型。首先,在充分理解MOS结构器件cv特性的基础上,基于不同layout的TFT的结构差异,结合器件沟道耗尽和积累时的cv特性,我们提... 详细信息

本文主要介绍了薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的电容-电压(cv)特性,并建立了一个频率依赖的cv(f-cv)模型。首先,在充分理解MOS结构器件cv特性的基础上,基于不同layout的TFT的结构差异,结合器件沟道耗尽和积累时的cv特性,我们提取了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)TFT器件的结构参数:栅极氧化层厚度、IGZO沟道厚度、刻蚀阻挡层厚度(ESL)厚度以及接触孔处由于过渡刻蚀后留下的沟道厚度。其次,我们建立了一个频率依赖的TFT cv模型(f-cv)。该模型不仅包含了沟道电荷分析模型、RC延迟相关的传输线模型,也考虑了不同频率下,陷阱电荷对测量电容的影响。基于同一套参数,在频率f从10 kHz到1.5 MHz范围内,最终的电容模型f-cv能很好的拟合顶栅自对准多晶硅(p-Si)TFT的cv测量曲线。为了验证模型的正确性,我们还同时拟合了不同宽长比的TFT器件以及不同温度下的cv测量值,其拟合效果相当完美。

关键词： cv特性结构参数频率依赖的cv模型薄膜晶体管TFT 陷阱电荷传输线模型

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数值cv方法的研究与SDB硅膜厚度的测量

数值CV方法的研究与SDB硅膜厚度的测量

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作者：李慕荣合肥工业大学

学位级别：硕士

由于世界范围内对半导体产品的需求持续上扬，半导体工业的进步以及对制造微型芯片最为关键的薄硅晶片的大量需求将引导半导体黄金时代的发展，对半导体科学的研究也提出了更高的要求。半导体技术的发展与封装、组装、测试技术的发展... 详细信息

由于世界范围内对半导体产品的需求持续上扬，半导体工业的进步以及对制造微型芯片最为关键的薄硅晶片的大量需求将引导半导体黄金时代的发展，对半导体科学的研究也提出了更高的要求。半导体技术的发展与封装、组装、测试技术的发展密不可分。测试与测量技术是信息产业的三大关键技术之一，随着电子信息产业的飞速发展，测试测量技术及相关的仪器仪表已成为信息化带动工业化的重要纽带。本文主要研究了基于cv特性的半导体杂质浓度分布的方法，并将其用于测量硅／硅直接键合SDB硅膜的厚度。我们提出了逐点反求多次循环的数值算法，指出并研究了数值cv法反求杂质浓度分布时的唯一性问题，从而找到了数值cv法解的不确定和不收敛的根本原因，成功地实现了cv法测量阶跃杂质分布，从而准确得到了SDB硅膜厚度。此种检测方法简便易行，无损而快速，为SDB硅片的工业化生产提供了一个良好的监控和测试手段。

关键词：半导体 cv特性测量 SDB

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硅化钛场板的工艺条件与特性研究

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电子与封装 2013年第10期13卷 33-35页

作者：许帅徐政吴晓鸫中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层... 详细信息

场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT cv稳定性,多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下,该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。

关键词：硅化钛场板 cv特性稳定性

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