数值CV方法的研究与SDB硅膜厚度的测量

作     者：李慕荣 

作者单位：合肥工业大学 

学位级别：硕士

导师姓名：蒋建国

授予年度：2004年

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主      题：半导体 CV特性 测量 SDB 

摘      要：由于世界范围内对半导体产品的需求持续上扬，半导体工业的进步以及对制造微型芯片最为关键的薄硅晶片的大量需求将引导半导体黄金时代的发展，对半导体科学的研究也提出了更高的要求。 半导体技术的发展与封装、组装、测试技术的发展密不可分。测试与测量技术是信息产业的三大关键技术之一，随着电子信息产业的飞速发展，测试测量技术及相关的仪器仪表已成为信息化带动工业化的重要纽带。 本文主要研究了基于CV特性的半导体杂质浓度分布的方法，并将其用于测量硅／硅直接键合SDB硅膜的厚度。我们提出了逐点反求多次循环的数值算法，指出并研究了数值CV法反求杂质浓度分布时的唯一性问题，从而找到了数值CV法解的不确定和不收敛的根本原因，成功地实现了CV法测量阶跃杂质分布，从而准确得到了SDB硅膜厚度。此种检测方法简便易行，无损而快速，为SDB硅片的工业化生产提供了一个良好的监控和测试手段。