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capacitance-voltage analysis of a high-k dielectric on silicon

Journal of Semiconductors 2012年第2期33卷 10-13页

作者： Davinder Rathee Sandeep K.Arya Mukesh Kumar Department of Electronics and communication Engineering Guru Jambeshwer University of Science and TechnologyHisarIndia Department of Electronics Science Kurukshetra UniversityKurukshetraIndia

Device characteristics of TiO;gate dielectrics deposited by a sol-gel method and Dc sputtering method on a P-type silicon wafer are ***-oxide-semiconductor capacitors with Al as the top electrode were fabricated to study the electrical properties of TiO;*** films were physically characterized by using X-ray diffraction,a capacitor voltage measurement,scanning electron microscopy,and by spectroscopy *** XRD and DST-TG indicate the presence of an anatase TiO;phase in the *** deposited at higher temperatures showed better *** dielectric constant calculated using the capacitance voltage measurement was found to be 18 and 73 for sputtering and sol-gel samples *** refractive indices of the films were found to be 2.16 for sputtering and 2.42 for sol-gel samples.

关键词： sol-gel method Dc reactive sputtering c-v analysis flat band voltage

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