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The residual c concentration control for low temperature growth p-type GaN
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chinese Physics B 2017年 第10期26卷 411-416页
作者： 刘双韬 赵德刚 杨静 江德生 梁锋 陈平 朱建军 刘宗顺 李翔 刘炜 邢瑶 张立群 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors chinese Academy of Sciences School of Electronic Electrical and communication Engineering University of chinese Academy of Sciences Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics chinese Academy of Sciences
In this work, the influence of c concentration to the performance of low temperature growth p-GaN is studied. Through analyses, we have confirmed that the c impurity has a compensation effect to p-GaN. At the same tim... 详细信息
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