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溶胶-凝胶法制备c轴取向生长ZnO薄膜

功能材料 2007年第12期38卷 2015-2017,2020页

作者：肖宗湖张萌南昌大学材料科学与工程学院江西南昌330031

采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解... 详细信息

采用sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了表征。热分析结果表明,二水醋酸锌-乙醇胺-乙二醇甲醚体系sol-gel的热分解过程与纯二水合乙酸锌的分解过程大相径庭。ZnO薄膜的sol-gel分解趋于在较窄的温度范围内一步完成。样品在XRD图谱中表现出明显的c轴择优取向。此外,SEM照片也表明:ZnO薄膜样品中间区域和边缘区域的表面形貌相差甚远。探讨了预热处理温度、退火温度等工艺条件对ZnO薄膜的结构性能的影响,最佳的预热处理温度被认为在ZnO相完全生成温度附近。

关键词： ZnO薄膜溶胶-凝胶法旋转涂覆技术 c轴取向

脉冲激光沉积c轴取向BicuSeO外延薄膜及其热电性能

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材料导报 2019年第1期33卷 152-155页

作者：袁大超郭双郝建军马跃进王淑芳河北农业大学机电工程学院保定071001 河北大学物理科学与技术学院保定071002

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BicuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BicuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[01... 详细信息

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BicuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BicuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BicuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BicuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BicuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。

关键词：铋铜硒氧外延薄膜 c轴取向热电性能脉冲激光沉积

适用SAW器件的高c轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

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光电子．激光 2005年第1期16卷 28-31页

作者：王芳杨保和天津理工大学光电信息系天津300191

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜c轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻... 详细信息

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜c轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高c轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。

关键词： ZnO薄膜 SAW器件 c轴取向薄膜电阻声表面波(SAW) 性能分析原子力显微镜(AFM) 平坦上升空位

非晶态SiO_2过渡层对生长c轴取向LiNbO_3薄膜的影响

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光电子．激光 2011年第11期22卷 1667-1670页

作者：肖庆安玉凯李响许丽丽吴一晨段岭申刘技文天津理工大学材料科学与工程学院天津市光电显示材料与器件重点实验室天津300384

采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过... 详细信息

采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜c轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10～50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的c轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜c轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高c轴取向,c轴取向的织构系数(Tc)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的c轴取向反而变弱。

关键词：磁控溅射 LiNbO3薄膜 SiO2过渡层 c轴取向

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c轴取向PbTiO_3外延生长的研究

无机材料学报 1995年第2期10卷 225-230页

作者：陈先同罗维根丁爱丽仇萍荪李晖平井敏雄中国科学院上海硅酸盐研究所日本东北大学金属材料研究所

本文研究了ＭＯＣＶＤ法淀积过程中工艺条件对ＰｂＴｉＯ３膜ｃ轴取向度的影响，探讨了ＰｂＴｉＯ３膜的生长过程，通过调节氧气流量首次在ＭｇＯ（１００）单晶衬底上淀积出ｃ轴取向的ＰｂＴｉＯ３外延膜．ＰｂＴｉＯ３外延膜的介电常... 详细信息

本文研究了ＭＯＣＶＤ法淀积过程中工艺条件对ＰｂＴｉＯ３膜ｃ轴取向度的影响，探讨了ＰｂＴｉＯ３膜的生长过程，通过调节氧气流量首次在ＭｇＯ（１００）单晶衬底上淀积出ｃ轴取向的ＰｂＴｉＯ３外延膜．ＰｂＴｉＯ３外延膜的介电常数为９０；折射率为２．６４；均和单晶性能一致．

关键词：外延生长薄膜 MOcVD 钛酸铅 c轴取向

脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜

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真空科学与技术学报 2010年第5期30卷 496-499页

作者：廖秀尉朱俊罗文博郝兰众电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面... 详细信息

采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。结果显示，沉积温度500℃、氧分压20～30Pa是在GaN基片上生长c轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件。XRD分析表明，生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构，其外延关系分别为[1-100]（0001）LiNbO3/／[11-20]（0001）GaIN和[10-10]（0001）LiNbO3／／[-12—10]（0001）GaN。SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明，在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整，致密度好。

关键词： LiNbO3薄膜 c轴取向脉冲激光沉积 XRD

c轴取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与光学性质

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科学通报 1996年第3期41卷 277-279页

作者：顾豪爽李湘云王世敏包定华李洪彬邝安祥李兴教湖北大学压电陶瓷技术研究所武汉430062 华中理工大学固体电子学系武汉430074

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为***/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆... 详细信息

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为***/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.

关键词： Bi4Ti3O12 c轴取向铁电薄膜制备光学性质

c轴取向BaFe12O19薄膜集成到Si单晶基片的磁控溅射工艺与性能研究

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C轴取向BaFe12O19薄膜集成到Si单晶基片的磁控溅射工艺与性能研究

作者：李清峰苏州大学

学位级别：硕士

M型钡铁氧体(BaFeO,BaM)属于六角晶系磁铅石型铁氧体材料,具有良好的化学稳定性、机械硬度和抗腐蚀性,高的垂直磁各向异性常数使之具有较高的矫顽力和饱和磁化强度,可广泛应用于高密度磁记录材料、永磁材料、微波器件、微波吸收材料等... 详细信息

M型钡铁氧体(BaFeO,BaM)属于六角晶系磁铅石型铁氧体材料,具有良好的化学稳定性、机械硬度和抗腐蚀性,高的垂直磁各向异性常数使之具有较高的矫顽力和饱和磁化强度,可广泛应用于高密度磁记录材料、永磁材料、微波器件、微波吸收材料等方面。BaM薄膜在磁记录和微波器件方面的应用越来越多,普遍要求BaM薄膜具有良好的c轴取向来提高磁记录的密度或得到较小的铁磁共振线宽。本文着重研究将BaM薄膜集成在硅衬底上的c轴取向生长工艺,不同过渡层对取向生长的影响以及与微结构、磁性能、微波性能之间的关系。本文所有的薄膜样品都是通过射频磁控溅射法制备的。首先,我们在Si(100)基片上制备了BaM薄膜并对薄膜的结构和性能进行了分析。研究结果发现直接在Si(100)基片上很难制备出外延c轴择优取向的BaM薄膜。然后,我们以Pt(111)层作为过渡层制备出了良好的c轴择优取向的BaM薄膜,研究结果表明Pt层对薄膜的生长取向和性能影响较大。对磁记录来说,Pt层厚度为30nm,BaM薄膜厚度为360nm,退火温度为850℃时,BaM薄膜的性能相对较好,具有良好的c轴取向,薄膜垂直方向的矫顽力Hc⊥和矩形比(Mr⊥/Ms⊥)分别为833Oe和0.35,薄膜平均晶粒尺寸约为400nm。对于微波器件应用方面,Pt层和BaM薄膜的厚度分别为20nm和360nm时,BaM薄膜的共振频率为44GHz时,具有最小线宽?H为399Oe。最后,我们又以稳定的氧化钇和氧化锆(YSZ)为过渡层材料,也制备出了c轴取向BaM薄膜。制备出的BaM薄膜的矫顽力Hc⊥和矩形比(Mr⊥/Ms⊥)比以Pt层作过渡层制备的BaM薄膜的提高了许多,其值分别为2200Oe和0.87,薄膜的晶粒也明显小许多,作为磁记录材料,YSZ层作过渡层制备的c轴取向的BaM薄膜更有潜力。

关键词： BaM薄膜 c轴取向磁控溅射过渡层矫顽力

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钡铁氧体薄膜的c轴取向生长

功能材料 1999年第4期30卷 358-360页

作者：刘小晰杨正松本光功兰州大学磁性材料研究所日本国信州大学工学部情报工学科

首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层，制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜。其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽Δθ５... 详细信息

首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层，制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜。其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽Δθ５０仅为２．

关键词：钡铁氧体薄膜 c轴取向非晶衬底层生长