脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜

作     者：廖秀尉 朱俊 罗文博 郝兰众 Liao Xiuwei;Zhu Jun;Luo Wenbo;Hao Lanzhong

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2010年第30卷第5期

页      面：496-499页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划"973"(61363) 国家自然科学基金资助项目(50772019) 

主　　题：LiNbO3薄膜 C轴取向 脉冲激光沉积 XRD 

摘      要：采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。结果显示，沉积温度500℃、氧分压20～30Pa是在GaN基片上生长C轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件。XRD分析表明，生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构，其外延关系分别为[1-100]（0001）LiNbO3/／[11-20]（0001）GaIN和[10-10]（0001）LiNbO3／／[-12—10]（0001）GaN。SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明，在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整，致密度好。