检索结果-南通市图书馆

电脑爱好者 2004年第19期 12-14页

作者：董博加拿大

BT是目前最流行的P2P下载软件之一。快速的下载效率、众多的下载资源,使它很快受到了全世界玩家的追捧。但自从诞生之日起,“硬盘杀手”的称号似乎也一直像鬼魅一样纠缠着BT,直到现在,到底它是否伤害硬盘依然争论不休,今天我们就这个话... 详细信息

BT是目前最流行的P2P下载软件之一。快速的下载效率、众多的下载资源,使它很快受到了全世界玩家的追捧。但自从诞生之日起,“硬盘杀手”的称号似乎也一直像鬼魅一样纠缠着BT,直到现在,到底它是否伤害硬盘依然争论不休,今天我们就这个话题专门请了一位资深专家对此进行讨论。

关键词：硬盘磁头读写失效时间读取硬磁盘磁盘磁记录器硬盘杀手内存下载工具下载软件缓存区下载下载资源服务器端下载任务磁盘缓存 btbt

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Performance optimization of MOS-like carbon nanotube-FETs with realistic source/drain contacts based on electrostatic doping

引用

Journal of Semiconductors 2010年第12期31卷 43-48页

作者：周海亮郝跃张民选 School of Computer National University of Defense Technology School of Microelectronics Xidian University

Due to carrier band-to-band-tunneling （btbt） through channel-source/drain contacts, conventional MOS- like Carbon Nanotube Field Effect Transistors （C-CNFETs） suffer from ambipolar conductance, which deteriorates the device performance greatly. In order to reduce such ambipolar behavior, a novel device structure based on electrostatic doping is proposed and all kinds of source/drain contacting conditions are considered in this paper. The non-equilibrium Green＇s function （NEGF） formalism based simulation results show that, with proper choice of tuning voltage, such electrostatic doping strategy can not only reduce the ambipolar conductance but also improve the sub-threshold perfor- mance, even with source/drain contacts being of Schottky type. And these are both quite desirable in circuit design to reduce the system power and improve the frequency as well. Further study reveals that the performance of the proposed design depends strongly on the choice of tuning voltage value, which should be paid much attention to obtain a proper trade-off between power and speed in application.

关键词： sub-threshold slope ambipolar conductance electrostatic doping btbt Schottky contact CNFET

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Numerical study of the sub-threshold slope in T-CNFETs

引用

Journal of Semiconductors 2010年第9期31卷 32-36页

作者：周海亮郝跃张民选 School of Computer National University of Defense Technology School of Microelectronics Xidian University

The most attractive merit of tunneling carbon nanotube field effect transistors（T-CNFETs） is the ultra-small inverse sub-threshold *** order to obtain as small an average sub-threshold slope as possible,several effective approaches have been proposed based on a numerical insight into the working mechanism of T-CNFETs：tuning the doping level of source/drain leads,minimizing the quantum capacitance value via tuning the bias condition or increasing the insulator capacitance,and adopting a staircase doping strategy in the drain ***-equilibrium Green＇s function based simulation results show that all these approaches can contribute to a smaller average inverse sub-threshold slope, which is quite desirable in high-frequency or low-power applications.

关键词： sub-threshold slope T-CNFETs quantum capacitance btbt NEGF

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：