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Structural,Transport and Optical Properties of boron-doped Zinc Oxide Nanocrystalline

Journal of materials Science & Technology 2011年第6期27卷 481-488页

作者： Vinod Kumar R.G.Singh L.P.Purohit R.m.mehra Department of Physics Gurukula Kangri University Department of Electronic Science University of Delhi South Campus maharaja Agrasen College University of Delhi 110 096 India School of Engineering & Technology Sharda University

The paper has reported the structural,transport and optical properties of boron doped zinc oxide（ZnO：b） thin films grown on glass substrate by sol-gel spin coating *** is observed from the analysis of the X-ray diffraction（XRD） results that the crystalline quality of the films is improved with increasing b concentration.A crystallite size of ～17 nm is obtained for b doped films.A minimum resistivity of 7.9×10-4 Ω.cm is obtained at 0.6 at.% of b concentration in the ZnO：b *** and intragrain cluster scattering are found to dominate the scattering mechanism in ZnO：b *** interference pattern in transmittance spectra shows good homogeneity with a transparency of ～88% in the visible *** band gap of the films is increased from 3.24 to 3.35 eV with increasing b *** gap widening is analyzed in terms of burstein-moss *** origin of the broad band photoluminescence（PL） spectra is explained in terms of the intragrain cluster scattering.

关键词： Zinc oxide boron Photoluminescence Intragrain b-m shift

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