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as掺杂浓度对FeS_2电子结构及光学性质的影响

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中国有色金属学报 2017年第2期27卷 414-422页

作者：马万坤陈建华张国范李玉琼冯其明中南大学资源加工与生物工程学院长沙410083 广西大学资源与冶金学院南宁530004

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,对不同as掺杂浓度FeS_2的几何结构、电子结构和光学性质进行计算和讨论。采用2×2×2(Fe_(32)S_(63)As),2×2×1(Fe_(16)S_(31)As)和2×1×1(Fe_8S_(15)As)的超晶胞模型,用1个A... 详细信息

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,对不同as掺杂浓度FeS_2的几何结构、电子结构和光学性质进行计算和讨论。采用2×2×2(Fe_(32)S_(63)As),2×2×1(Fe_(16)S_(31)As)和2×1×1(Fe_8S_(15)As)的超晶胞模型,用1个As原子取代1个S原子,使掺杂浓度分别为1.93%、3.82%和7.48%(质量分数),然后进行3种掺杂体系的计算,并将其与理想体系进行对比。几何结构与电子结构的计算结果表明:as掺杂使得FeS_2的晶格常数和晶胞体积增大,导带部分下移,禁带宽度减小,并且在-10.4^-9.5 e V的浅部价带产生了由As的p态贡献的杂质能级。光学性质计算结果表明,掺杂后Fe(S_(1-x)As_x)_2的静态介电常数、折射率和光电导率在一定范围内均随着掺杂量的增大而明显增大,说明as掺杂显著增强了FeS_2对光的吸收以及光电转换效率。

关键词： as掺杂黄铁矿光电性质第一性原理

高取向as掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征

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发光学报 2011年第2期32卷 154-158页

作者：冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌辽宁师范大学物理与电子技术学院辽宁大连116029 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024

在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的as掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,as掺杂Zn... 详细信息

在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的as掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,as掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与as掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。as掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。

关键词： as掺杂 ZnO纳米线阵列化学气相沉积光致发光

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as掺杂对Bi2Te3热电性质的影响

热加工工艺 2019年第18期48卷 65-67,71页

作者：邹利华周晓燕吴海江郭文敏王小明邵阳学院机械与能与能源工程学院湖南邵阳422000 邵阳学院高效动力系统智能制造湖南省重点实验室湖南邵阳422000 邵阳学院信息工程学院湖南邵阳422000

利用垂直布里兹曼法制备as掺杂量分别为0、0.1、0.15、0.2、0.25及0.5的Bi2Te3晶体;利用四点探针测试仪、赛贝克系数分析系统及热导系数测试仪等分析as掺杂对Bi2Te3热电特性的影响。结果表明,在250 K以下,样品呈金属特性,且掺As后其电... 详细信息

利用垂直布里兹曼法制备as掺杂量分别为0、0.1、0.15、0.2、0.25及0.5的Bi2Te3晶体;利用四点探针测试仪、赛贝克系数分析系统及热导系数测试仪等分析as掺杂对Bi2Te3热电特性的影响。结果表明,在250 K以下,样品呈金属特性,且掺As后其电阻率会增大,同时固溶化处理也会增加其电阻率。掺As后样品均为电子型传导,as掺杂量为0.1时其赛贝克系数较大;as掺杂可降低样品的热导率,as掺杂量为0、0.1及0.2时样品的热导率随温度的升高先减小后增大,而as掺杂量为0.15、0.25及0.5时样品的热导率随温度的升高而增大。掺As后样品ZT值无法比之前研究所得ZT值数值大。

关键词：热电材料 Bi2Te3 as掺杂热电性质热电优值

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原位as掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究

激光与红外 2018年第12期48卷 1500-1502页

作者：宋淑芳田震华北光电技术研究所北京100015

非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了as掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。

关键词： P型 HgCdTe as掺杂

激活退火对as掺杂型HgCdTe材料的影响

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激光与红外 2010年第5期40卷 506-510页

作者：李艳鹏张传杰徐庆庆魏彦锋杨建荣中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了激活退火热处理过程对as掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化。实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热... 详细信息

研究了激活退火热处理过程对as掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化。实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小。

关键词：碲镉汞 as掺杂激活退火

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碲镉汞as掺杂技术研究

激光与红外 2006年第11期36卷 1023-1025页

作者：巫艳吴俊魏青竹陈路于梅芳王元樟傅祥良乔怡敏何力中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心上海200083

对于MBE原位掺杂，HgCdTe的N型掺杂比较容易，而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为，在富Te的条件下生长，As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电，表现为P型。因此，采取了多... 详细信息

对于MBE原位掺杂，HgCdTe的N型掺杂比较容易，而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为，在富Te的条件下生长，As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电，表现为P型。因此，采取了多种方法，现已获得10^16-10^18坤cm^-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后，研究人员对激活退火做了一些研究。研究发现，需要在汞压下经过高温退火，As原子才能占据Te位成为受主杂质。对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。

关键词：碲镉汞分子束外延 as掺杂

磁控溅射法制备as掺杂p型ZnO薄膜及电光性能研究

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磁控溅射法制备As掺杂p型ZnO薄膜及电光性能研究

作者：王旋西北大学

学位级别：硕士

随着计算机技术的发展,光电产品对半导体材料的需求进一步的增长,半导体技术迅速发展到了以GaN和ZnO为主的第三代半导体材料,由于ZnO的种种生产和应用优势,ZnO的研究的成为当前的热点和重点,而关于制备高性能的p型ZnO是主要的难点。 ... 详细信息

随着计算机技术的发展,光电产品对半导体材料的需求进一步的增长,半导体技术迅速发展到了以GaN和ZnO为主的第三代半导体材料,由于ZnO的种种生产和应用优势,ZnO的研究的成为当前的热点和重点,而关于制备高性能的p型ZnO是主要的难点。本文主要讲述的是采用磁控溅射的方法,在不同的溅射工艺（功率、压强、温度）下,在玻璃和硅衬底上生长ZnO薄膜,研究溅射工艺对as掺杂ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响。第一章主要介绍了ZnO材料的发展概况和本文研究工作的目的;其次介绍了ZnO材料的基本性能（晶体结构、电学特性、光学特性）;最后论述了实现p型ZnO的意义及其研究方向。第二章我们介绍制备ZnO薄膜常用的方法以及各种方法的优缺点,然后介绍了我们利用磁控溅射法制备ZnO薄膜采用的仪器设备;最后还介绍表征薄膜性能的方法：X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计、四探针法测方块电阻[5-8]。第三章主要介绍纯ZnO靶材、不同比例as掺杂ZnO靶材的制备;然后通过XPS检测靶材的成分;最后介绍了实验的整个流程。第四章使用JGP560磁控溅射仪在不同的溅射工艺（压强、功率、温度）下分别制备了等梯度系列的as掺杂ZnO薄膜。首先通过XRD研究薄膜的晶向结构;其次利用SEM拍摄的薄膜表面和截面图谱分析了ZnO的生长,然后采用紫外可见分光光度计研究薄膜的光学性能;最后采用四探针法利用相关仪器测量ZnO的方阻,计算出相应溅射条件下ZnO的电阻率。根据获得的溅射工艺我们制备了不同掺杂比例的薄膜,并对结果进行相关的分析。

关键词：磁控溅射 as掺杂 ZnO薄膜电光性能

碲镉汞材料中Hg空位、Au、as掺杂的研究进展

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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红外 2021年第2期42卷 15-20,28页

作者：郝斐曹鹏飞杨海燕吴卿华北光电技术研究所北京100015

碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺... 详细信息

碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺杂剂,其掺杂研究目前已比较成熟。相对而言,p型掺杂研究还不是那么深入。Hg空位、Au、as掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段。通过分析和总结近些年的部分相关文献,介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、as掺杂的研究进展。

关键词：碲镉汞 Hg空位掺杂 Au掺杂 as掺杂

MBE生长HgCdTe材料的as掺杂退火的研究

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红外 2003年第5期24卷 1-4,10页

作者：徐非凡中国科学院上海技术物理研究所

1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.

关键词： MBE生长 HgCdTe材料碲镉汞化合物半导体材料 as掺杂砷掺杂退火分子束外延生长红外焦平面探测器