As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究

作     者：仇光寅 张传杰 魏彦锋 陈晓静 徐庆庆 杨建荣 QIU Guang-Yin;ZHANG Chuan-Jie;WEI Yan-Feng;CHEN Xiao-Jing;XU Qing-Qing;YANG Jian-Rong

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2012年第31卷第1期

页      面：15-20页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(60876012) 上海市自然科学基金(10ZR1434400)~~ 

主　　题：碲镉汞 霍尔效应 As掺杂 激活退火 双层模型 

摘      要：对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显示,外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应,导致在表面形成了高于主体层浓度1～2个量级的高浓度表面层,并导致了AsTe受主的浓度在HgCdTe薄膜中呈非均匀分布.考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后,As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到了较好的解释,并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数.