检索结果-南通市图书馆

以尿素为氮源合成aln粉体过程中非晶碳的石墨化

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2022年第6期51卷 1092-1098页

作者：雷骏黄豪贤习鑫鑫程艳玲林华泰广东工业大学机电工程学院广州510006

针对有机合成过程中碳及碳化物的残余,传统方法中普遍使用除碳的工艺,而很少有文章针对非晶碳的结构和形貌进行表征。为此,本文采用高尿素含量的前驱盐体系,通过在氮气保护气氛中煅烧获得aln粉体。采用X射线衍射分析、红外和拉曼光谱分... 详细信息

针对有机合成过程中碳及碳化物的残余,传统方法中普遍使用除碳的工艺,而很少有文章针对非晶碳的结构和形貌进行表征。为此,本文采用高尿素含量的前驱盐体系,通过在氮气保护气氛中煅烧获得aln粉体。采用X射线衍射分析、红外和拉曼光谱分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对850~1500℃温度范围内煅烧获得产物的结构和形貌进行表征,对aln合成过程中含碳产物结构形貌的变化,以及aln和含碳产物之间相互的依存生长关系进行分析。结果表明,aln生长的过程中伴随着无定形碳的石墨化转变,aln颗粒的形貌也受含碳残余产物形貌的影响而出现有规律的变化。

关键词：非晶碳粉体合成 aln粉体氮源尿素残余碳石墨化

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

酸洗提纯aln粉体的研究

硅酸盐通报 2017年第11期36卷 3920-3924页

作者：王广阳王传彬武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070

氮化铝(aln)粉体中的金属杂质与氧化是影响其纯度和性能发挥的主要因素,而酸洗是提纯aln粉体的有效手段。实验采用磷酸(H_3PO_4)、硝酸(HNO_3)、氢氟酸(HF)和盐酸(HCl)对aln粉体进行酸洗提纯,主要研究了酸洗过程中酸液的选择与配比对提... 详细信息

氮化铝(aln)粉体中的金属杂质与氧化是影响其纯度和性能发挥的主要因素,而酸洗是提纯aln粉体的有效手段。实验采用磷酸(H_3PO_4)、硝酸(HNO_3)、氢氟酸(HF)和盐酸(HCl)对aln粉体进行酸洗提纯,主要研究了酸洗过程中酸液的选择与配比对提纯效果的影响。实验结果表明:这四种酸均显著降低了aln粉体表面的金属杂质含量,而HF和HNO_3的混合酸具有更好的提纯效果,特别能降低其中的Na、W、Fe等金属杂质,而且还可通过HF与Al_2O_3的反应有效去除氧杂质。HF/HNO_3酸液的适宜配比为HF∶HNO_3=2∶1,在该条件下酸洗后的aln粉体中,金属杂质含量均下降到100 ppm以下,氧含量仅为1.2wt%。

关键词： aln粉体酸洗提纯金属杂质氧含量

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能aln粉体合成、特性及成瓷验证

高性能AlN粉体合成、特性及成瓷验证

作者：魏鑫合肥工业大学

学位级别：硕士

现代电子技术正处于快速发展时期,微电子及电力电子器件朝着小型化、集成化、高功率密度、高可靠性等的方向发展,对电子器件散热能力提出更高的要求。aln陶瓷具有热导率高,介电损耗和介电常数低,绝缘性能良好以及与Si、Ga As等半导体材... 详细信息

现代电子技术正处于快速发展时期,微电子及电力电子器件朝着小型化、集成化、高功率密度、高可靠性等的方向发展,对电子器件散热能力提出更高的要求。aln陶瓷具有热导率高,介电损耗和介电常数低,绝缘性能良好以及与Si、Ga As等半导体材料相匹配的热膨胀系数,机械性能优良,安全无毒等优点,已成为各种电力电子器件中应用最广的电子封装材料之一。高性能aln陶瓷基板的制备当然离不开高品质aln粉体原料,高品质aln粉体的开发具有极其重要的理论研究与实际应用价值。本文以高纯AlO粉体、纳米碳黑为原料,采用碳热还原氮化法(Carbothermal reduction nitriding process,简称CRN)合成aln粉体,研究合成过程中前驱体的特性、煅烧产物的合成条件和脱碳过程,探讨其热力学过程;研究aln粉体合成过程中可能存在的中间相产物及其形成机理,据此改进CRN工艺;比较研究不同品质aln粉体制备aln陶瓷基板性能和结构,考察粉体中O、C含量变化对陶瓷结构与性能的影响。CRN合成aln粉体过程中,360℃排胶2h制备多孔前驱体,孔隙有助于合成过程中气体交换扩散,促进后续反应进行。从热力学角度,煅烧温度达到1650℃以上,aln合成反应即可进行,煅烧温度提高至1700℃,反应的热力学驱动力增大,有利于反应充分进行。正交试验结果表明,脱碳温度对脱碳影响最大,其次为进料速率,多孔前驱体在1700℃下煅烧12h,然后在温度为700℃、V(Air):V(N)=1:0、进料速率为4 kg/h的条件下脱碳,得到O、N、C含量分别为0.77 wt%,33.42 wt%和323×10,平均粒径为1.36μm的aln粉体。CRN合成aln粉体过程包含CO还原气氛下AlO的还原及还原产物再与N反应形成aln两个子过程。反应过程中可能生成的AlCO中间相产物,是导致aln粉体O、C杂质含量升高的主要因素。热力学计算推导出平衡条件下各个反应的P函数式,绘制1700℃下相平衡状态图,探明中间相产物AlCO生成机理。据此,通过提高N流量,促进反应向生成aln方向进行,有效地抑制了AlCO中间相产物形成。以CRN法合成不同品质aln粉体为原料,常压烧结制备的aln陶瓷基板中的aln晶粒发育完全,结合紧密,YAlO(YAG)等第二相颗粒在aln晶界随机分布。随着aln粉体中O、C含量的增加,aln晶粒尺寸减小,第二相的含量增加,aln陶瓷基板热导率下降,抗弯强度提高。采用33.6 wt%N,0.85 wt%O及463×10C的aln粉体制备的aln陶瓷基板热导率为176.3 W/(m·K),达到国际先进水平。

关键词：碳热还原氮化法(CRN) aln粉体中间相产物 aln陶瓷第二相

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

aln粉体制备技术研究进展

中国材料科技与设备 2013年第3期9卷 1-4页

作者：詹俊吴玉彪汤文明合肥工业大学材料科学与工程学院安徽合肥230009

直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备aln陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果，分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点，探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。

关键词： aln粉体碳热还原法直接氮化法

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

原位合成aln粉体

原位合成AlN粉体

熔盐法合成α-Si_(3)N_(4)-aln复合粉体及其抗水化性能

2000年中国材料研讨会

作者：王群林志浪周美玲郑新和北京工业大学材料科学与工程学院中国科学院半导体研究所

以Al-Mg、Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了aln粉体及合烧结助剂的复合aln粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的aln粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm,物相为单相aln;复合aln粉... 详细信息

以Al-Mg、Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了aln粉体及合烧结助剂的复合aln粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的aln粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm,物相为单相aln;复合aln粉体物相组成为aln主相与烧结助剂YO相。粒径分布曲线呈双峰现象,从提高粉体的充填系数角度考虑,具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。

关键词：合金原位合成 aln粉体

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

耐火材料 2023年第1期57卷 27-30页

作者：王森梁峰王晓函谷昊辉吴帅兵吕功业张海军武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室湖北武汉430081

以Si粉、三聚氰胺(C3H6N6)和aln粉为原料,以NaCl-NaBr为熔盐介质,采用熔盐法(以盐、料质量比为2∶1)制备α-Si_(3)N_(4)-aln复合粉体。研究了反应原料中aln粉添加量(m(Si粉)∶m(C_(3)H_(6)N_(6))∶m(aln粉)分别为1∶2∶0、1∶2∶0.2、1∶2∶0.4、1∶2∶0.6和1∶2∶1)和反应温度(分别为1100、1150和1200℃)对制备的α-Si_(3)N_(4)-aln复合粉体物相组成、显微结构和抗水化性能的影响。结果表明:在Si粉、C_(3)H_(6)N_(6)、aln粉质量比为1∶2∶0.6时,在1200℃保温2 h后,Si粉被全部氮化为α-Si_(3)N_(4),所得产物α-Si_(3)N_(4)-aln复合粉的抗水化性能比原料aln粉的显著提高。

关键词： aln粉体熔盐法 α-Si_(3)N_(4)-aln复合粉体抗水化性能

Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

无机材料学报 2003年第6期18卷 1351-1356页

作者：林志浪郑新和王群周美玲中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 北京工业大学材料科学与工程学院北京100022 中国科学院半导体研究所北京100083

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.... 详细信息

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.

关键词： aln粉体 Lanxide技术铝合金烧结助剂

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化铝粉体制备技术的研究进展

半导体技术 2019年第8期44卷 577-582,589页

作者：蒋周青刘玉柱薛丽青刘荣辉刘元红李楠有研科技集团有限公司稀土材料国家工程研究中心北京100088 有研稀土新材料股份有限公司北京100088

氮化铝(aln)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。aln粉体作为aln产品的主要原料是决定其性能的关键因素。在对aln的结构与... 详细信息

氮化铝(aln)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。aln粉体作为aln产品的主要原料是决定其性能的关键因素。在对aln的结构与性能综合分析基础上,系统介绍了当前aln粉体制备技术的研究进展和应用现状,同时对各制备工艺的特点进行了分析探讨。指出在微米aln粉体制备方面,碳热还原法和直接氮化法仍具有明显优势,而化学气相沉积法和等离子体法则在纳米aln粉体制备方面具有良好的应用前景。获得更高纯度、粒度可控、形貌均匀分散的粉体是aln制备技术的研究方向。

关键词： aln粉体制备工艺纳米粉体基板材料碳热还原法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于碳化铝制备氮化铝陶瓷粉体

基于碳化铝制备氮化铝陶瓷粉体

作者：方智威华中科技大学

学位级别：硕士

随着电子产品朝着轻型化,高度集成化,热电损耗低,稳定性高且能适应各种工作环境的方向发展,以氮化铝(aln)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体逐渐成为工业上研究与应用的热点。作为第三代半导体材料,氮化铝(aln)产品热导率高达10060W/(m... 详细信息

随着电子产品朝着轻型化,高度集成化,热电损耗低,稳定性高且能适应各种工作环境的方向发展,以氮化铝(aln)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体逐渐成为工业上研究与应用的热点。作为第三代半导体材料,氮化铝(aln)产品热导率高达10060W/(m·K),室温电阻率大于1014Ω·cm,绝缘耐压为15k V/mm。因此aln以其高热导率、优异的绝缘性、介电常数高、线膨胀系数小以及稳定性较好而吸引了广大科研工作者的关注,在基体材料、电子封装材料、薄膜材料以及结构材料等领域应用广泛。但是目前工业上制备aln粉体的方法普遍存在着粉体纯度不高、粒径分布不均匀和成本高等问题。而且在烧结过程中容易引入杂质,且烧结致密度不高,导致获得的aln陶瓷性能达不到预期要求。本文研究了aln粉体的新型制备工艺,共探讨了各工艺参数对实验结果的影响。本文以AlC作为中间体,通过与NH3反应来制备aln粉体。在制备中间体粉末AlC过程中。我们以微米级的Al粉与石墨粉为原料,取一定量的Al粉与C粉真空球磨8h进行充分混匀,置于电炉中在氩气气氛的保护下加热至一定温度下反应3h。文中通过添加不同石墨含量并在不同温度条件下反应,通过对实验结果进行分析表征,发现石墨含量的增加有助于促进AlC的生成,同时温度的升高也有助于增加C在熔融Al中的溶解度,也可有效促进AlC的生成。在AlC与NH3反应来制备aln粉体过程中,文章系统研究了温度、水分与气流量对实验结果的影响。实验结果表明温度的升高有助于提高NH3的扩散速度与固相反应速度,因此升高温度有助于aln的生成。而从实验结果并结合热力学分析表明实验条件中存在水分的情况下,AlC更容易与水反应生成AlO,因此为了制备出高纯aln粉体,必须对实验中的NH3进行充分干燥处理。氨气气流量主要是通过自身的分解与影响反应区的温度来影响实验结果。当气流量较低时,大部分氨气发生了分解,没有没有足够的处于激活态的NH3分子与AlC发生反应,造成反应不能充分进行;而当氨气气流量过大时,处于或者低于室温的氨气会带走中心反应区大部分热量,导致中心反应区温度降低,影响氨气的扩散速度与反应速率。

关键词： aln粉体 Al4C3粉体氨气石墨