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An algan/gan HEMT with enhanced breakdown and a near-zero breakdown voltage temperature coefficient

Chinese Physics B 2013年第2期22卷 361-365页

作者：谢刚汤岑汪涛郭清张波盛况 Wai Tung Ng College of Electrical Engineering Zhejiang University The Edward S.Rogers Sr.Electrical and Computer Engineering Department University of Toronto TorontoOntarioCanadaM5S 1A1 State Key Laboratory of electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China

An algan/gan high-electron mobility transistor（HEMT） with a novel source-connected air-bridge field plate（AFP） is experimentally *** device features a metal field plate that jumps from the source over the gate region and lands between the gate and *** compared to a similar size HEMT device with a conventional field plate（CFP） structure,the AFP not only minimizes the parasitic gate to source capacitance,but also exhibits higher OFF-state breakdown voltage and one order of magnitude lower drain leakage *** a device with a gate to drain distance of 6 μm and a gate length of 0.8 μm,three times higher forward blocking voltage of 375 V was obtained at VGS =-5 *** contrast,a similar sized HEMT with a CFP can only achieve a breakdown voltage no higher than 125 V using this process,regardless of device ***,a temperature coefficient of 0 V/K for the breakdown voltage is ***,devices without a field plate（no FP） and with an optimized conventional field plate（CFP） exhibit breakdown voltage temperature coefficients of-0.113 V/K and-0.065 V/K,respectively.

关键词： algan/gan high-electron mobility transistor air-bridge field plate breakdown voltage breakdown voltage temperature coefficient

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