检索结果-南通市图书馆

溶胶-凝胶方法制备azo薄膜及其光电性能研究

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真空电子技术 2005年第1期18卷 20-21,27页

作者：葛春桥薛亦渝胡小锋郭爱云武汉理工大学材料科学与工程学院湖北武汉430070

采用溶胶凝胶方法制备了azo半导体透明导电薄膜,并研究了退火温度对其结构和性能的影响。结果表明:azo薄膜的晶粒成等轴状,薄膜的电阻率在(2～8)×10-3Ω·cm之间,平均透射率在80%以上。

关键词： azo薄膜溶胶凝胶光电性能

创新性近代物理实验教学——azo薄膜的制备及其表征

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合肥师范学院学报 2009年第6期27卷 32-35页

作者：吕建国孙兆奇朱剑博宋学萍合肥师范学院物理与电子工程系安徽合肥230061 安徽大学物理与材料科学学院安徽合肥230039

介绍了创新性近代物理实验sol-gel法制备azo薄膜的实验原理和不同Al掺杂量ZnO薄膜的制备过程,用X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计测试了azo薄膜的微结构和光学性质。测试结果表明:随着Al掺杂量的增加,azo薄膜的结晶度提高,吸收边发生蓝... 详细信息

介绍了创新性近代物理实验sol-gel法制备azo薄膜的实验原理和不同Al掺杂量ZnO薄膜的制备过程,用X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计测试了azo薄膜的微结构和光学性质。测试结果表明:随着Al掺杂量的增加,azo薄膜的结晶度提高,吸收边发生蓝移,光学带宽Eg从3.279减小3.216eV。实验教学结果显示:将科研项目开设为创新性学生实验,教学效果良好,激发了学生对实验的学习兴趣,培养了学生的创新意识和综合能力。

关键词：创新性实验教学 sol--gel法近代物理实验 azo薄膜

退火对高阻azo薄膜结构及紫外光电导特性的影响

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电子器件 2010年第6期33卷 651-654页

作者：曹东蒋向东李大伟孙继伟电子科技大学光电信息学院成都610054

在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻azo薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结... 详细信息

在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻azo薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400℃条件下达到最优紫外响应效果。

关键词： azo薄膜高温退火紫外光电导特性

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液位沉降法制备azo薄膜及其光电性能研究

纳米科技 2012年第6期9卷 28-32,43页

作者：殷天兰高德文武光明丁尧周洋北京石油化工学院北京102617

以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成azo前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备azo薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，... 详细信息

以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成azo前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备azo薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备azo薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块电阻为536Ω／□。

关键词：液位沉降法 azo薄膜光电性能

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缓冲层对azo薄膜光电性能的影响

实验科学与技术 2016年第3期14卷 36-40页

作者：周媛肖立娟吴忆华徐忠平陈耀星霍堡垒吉首大学物理与机电工程学院吉首416000

该文综述了利用外延技术在高失配度的基片上生长同质或者异质缓冲层能够提高azo薄膜的质量。重点阐述不同工艺条件下制备缓冲层对azo薄膜光电性能影响,介绍azo薄膜发展近况,并指出目前azo薄膜发展瓶颈,展望了其未来发展趋势。

关键词： azo薄膜外延技术缓冲层

直流射频耦合制备微纳结构azo薄膜及其性能研究

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真空 2018年第6期55卷 64-67页

作者：姚婷婷仲召进李刚汤永康杨勇金克武沈洪雪王天齐彭塞奥金良茂沈鸿烈甘治平马立云中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司浮法玻璃新技术国家重点实验室安徽蚌埠233000 大连交通大学辽宁大连116028 江苏省能量转换材料与技术重点实验室江苏南京211106

采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(azo)薄膜,底层azo薄膜射频功率占比从50%调整到90%。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾... 详细信息

采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(azo)薄膜,底层azo薄膜射频功率占比从50%调整到90%。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾度仪重点研究了azo薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,提高底层azo薄膜射频功率占比对微纳结构azo薄膜光电性能有显著的影响,底层azo薄膜射频功率占比80%时薄膜表现最低电阻率5.32×10^(-4)Ω·cm,可见光波段平均光学雾度36.3%。随着底层azo薄膜射频功率占比的增加,薄膜表面形貌、生长形态和结晶性能发生较大变化,并得到具有陷光作用且光电性能优良的微纳结构azo薄膜。

关键词： azo薄膜表面形貌微纳结构靶电压电学性能雾度

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梯度掺杂azo薄膜的制备及其性能表征

西南科技大学学报 2010年第3期25卷 1-5页

作者：周建谢岩王德义刘桂珍李河武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室湖北武汉430070

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（azo）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的azo薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%（... 详细信息

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（azo）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的azo薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%（原子数百分比）的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。

关键词： azo薄膜梯度掺杂 Sol-Gel法

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室温直流磁控溅射制备azo薄膜

室温直流磁控溅射制备AZO薄膜

射频磁控溅射柔性衬底azo薄膜的结构及光学性质

2017年全国玻璃科学技术年会

作者：姚婷婷杨勇李刚金克武沈洪雪王天齐甘治平马立云彭寿蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室

本文采用直流磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积azo薄膜,将工作压强从1.5 Pa逐渐减少到0.1 Pa。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了azo薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电... 详细信息

本文采用直流磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积azo薄膜,将工作压强从1.5 Pa逐渐减少到0.1 Pa。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了azo薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明,直流磁控溅射可以在室温下制备性能优异的azo薄膜,且工作压强对azo薄膜光电性能有显著的影响,随着工作压强的减少,azo薄膜与玻璃基底附着力增大,薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在工作压强为0.2 Pa时,室温制备的azo薄膜电阻率达到6.27×10Ω·cm,薄膜平均可见光透过达到88.6%。

关键词： azo薄膜工作压强表面形貌电学性能光学性能

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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射频磁控溅射柔性衬底AZO薄膜的结构及光学性质