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低温磁控溅射制备azo薄膜及绒面研究

稀有金属材料与工程 2017年第3期46卷 818-823页

作者：张宽翔彭寿姚婷婷曹欣金克武徐根保浮法玻璃新技术国家重点实验室安徽蚌埠233000 蚌埠玻璃工业设计研究院安徽蚌埠233018

采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(azo,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积azo薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面azo薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备... 详细信息

采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(azo,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积azo薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面azo薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备重点研究工作压强对直流射频耦合磁控溅射制备azo薄膜的晶相结构、表面形貌、光电性能以及后期制绒的影响。研究表明,直流射频耦合磁控溅射可以在低温下制备性能优异的azo薄膜,且随着工作压强的减小,致密性增强,光电性能改善,后期刻蚀得到具有良好陷光作用的绒面结构。在工作压强0.5 Pa下,低温制备的azo薄膜电阻率达到3.55×10^(-4)Ω·cm,薄膜可见光透过达到88.36%,刻蚀后电阻率为4.19×10^(-4)Ω·cm,可见光透过率89.59%,雾度达24.7%。

关键词：直流射频耦合磁控溅射 azo薄膜工作压强绒面

掺杂浓度对azo薄膜光电性能的影响及其在硅基薄膜太阳电池中的应用

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太阳能学报 2016年第7期37卷 1726-1731页

作者：代玲玲陈光羽何延如谷士斌张林赵冠超杨荣孟原李立伟郭铁新奥光伏能源有限公司煤基低碳能源国家重点实验室廊坊065001

以磁控溅射法制备Zn O∶Al(azo)薄膜,研究掺杂浓度及衬底温度对azo薄膜光电性能的影响。在azo薄膜光电性能研究优化的基础上,以Al含量为1.6%at.(1%wt.)及3.1%at.(2%at.)的azo薄膜为前电极制备双结硅基薄膜太阳电池。与业界普遍采用的1%... 详细信息

以磁控溅射法制备Zn O∶Al(azo)薄膜,研究掺杂浓度及衬底温度对azo薄膜光电性能的影响。在azo薄膜光电性能研究优化的基础上,以Al含量为1.6%at.(1%wt.)及3.1%at.(2%at.)的azo薄膜为前电极制备双结硅基薄膜太阳电池。与业界普遍采用的1%***薄膜相比,适度重掺杂(2%wt.)的azo薄膜由于带隙拓宽可以取得更优的透过率,同时电阻率的优化在更低衬底温度下取得,因此,2%***薄膜电池不仅可实现azo薄膜的低温沉积,而且电池具有较高的转换效率。

关键词： azo薄膜磁控溅射掺杂浓度硅基薄膜电池

反应磁控溅射制备azo薄膜相结构的演化及机理研究

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人工晶体学报 2012年第1期41卷 177-182页

作者：赵志明丁宇田亚萍张晓静马二云白力静蒋百灵西安理工大学材料科学与工程学院西安710048

在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(azo)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的azo/Zn(azo)... 详细信息

在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(azo)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的azo/Zn(azo)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的azo薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的azo薄膜;此外,azo薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的azo薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失。

关键词：直流反应磁控溅射 azo薄膜 Al2O3纳米颗粒

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两步法制备高择优取向的azo薄膜

人工晶体学报 2013年第7期42卷 1257-1260页

作者：方华靖严清峰王晓青沈德忠清华大学化学系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(azo)薄膜。利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的... 详细信息

通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(azo)薄膜。利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率。研究了种子层对azo薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响。结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化。薄膜在可见光范围内平均透射率超过85%,导电性能也有所改善。

关键词： azo薄膜种子层溶胶凝胶光电性能

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Al浓度对azo薄膜结构和光电性能的影响

功能材料 2007年第1期38卷 91-92,96页

作者：李金丽邓宏刘财坤袁庆亮韦敏电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

采用射频溅射方法在Si基片上制备出azo掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,azo薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,... 详细信息

采用射频溅射方法在Si基片上制备出azo掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,azo薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。

关键词： azo薄膜 X射线衍射 AFM 电阻率

脉冲式退火法对azo薄膜性能的研究(英文)

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人工晶体学报 2007年第5期36卷 1182-1186页

作者：张松青吴芳张丽伟高哲王子健卢景霄河南机电高等专科学校新乡453002 郑州大学材料物理教育部重点实验室郑州450052 新乡学院新乡453000

用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(azo)薄膜,然后用脉冲式快速光热处火(PRTP)法对样品进行了600 ～800℃的退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、四探针等测试手段对azo薄膜的结晶性能、透光率和导电性能进行了表征。... 详细信息

用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(azo)薄膜,然后用脉冲式快速光热处火(PRTP)法对样品进行了600 ～800℃的退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、四探针等测试手段对azo薄膜的结晶性能、透光率和导电性能进行了表征。结果表明:(1)薄膜退火后透光率基本维持在退火前(82 ～92%)的水平,而电阻率则由10-4Ω.cm上升了1到6个数量级,已丧失了"导电膜"意义;(2)样品具有好的结构性能有利于提高样品的导电性能。对此现象进行了理论分析。

关键词： azo薄膜退火透过率电阻率

溶胶-凝胶法制备azo薄膜及Al掺杂机理的研究

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功能材料 2010年第A2期41卷 300-303页

作者：许莹窦玉博王娟河北理工大学材料学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山063009

采用溶胶-凝胶法和浸渍提拉法成功制备了Al掺杂ZnO薄膜(以下简称azo薄膜)。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、分光光度计、霍尔(Hall)测量仪,分别研究了不同Al的掺杂浓度对薄膜的结晶性能、微观形貌和光电性能的影响,探讨... 详细信息

采用溶胶-凝胶法和浸渍提拉法成功制备了Al掺杂ZnO薄膜(以下简称azo薄膜)。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、分光光度计、霍尔(Hall)测量仪,分别研究了不同Al的掺杂浓度对薄膜的结晶性能、微观形貌和光电性能的影响,探讨了Al的掺杂机理。结果表明,Al的掺杂存在最佳值,当Al掺杂摩尔浓度为5%时,azo薄膜的结晶性能、微观形貌和光电性能最佳,其透光率在80%以上,电阻率为2.1×102Ω·cm,霍尔迁移率为0.23cm2/V·s,载流子浓度为7.81×1014cm-3。

关键词：溶胶-凝胶 azo薄膜掺杂机理

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退火时间对azo薄膜结构及光学性质的影响

光学学报 2015年第A1期35卷 423-428页

作者：侯海虹张涛王斌刘璐常熟理工学院物理与电子工程学院江苏常熟215500

采用直流磁控溅射方法，以K9玻璃为衬底制备掺铝氧化锌（ZnO2Al，azo）薄膜。在300℃真空条件下对样品进行退火处理，研究不同退火时间对薄膜内部微观结构、表面形貌及光学特性的影响。结果表明，最佳退火时间为2h，此条件下的azo薄膜... 详细信息

采用直流磁控溅射方法，以K9玻璃为衬底制备掺铝氧化锌（ZnO2Al，azo）薄膜。在300℃真空条件下对样品进行退火处理，研究不同退火时间对薄膜内部微观结构、表面形貌及光学特性的影响。结果表明，最佳退火时间为2h，此条件下的azo薄膜具有较强的（002）衍射峰，晶粒尺寸为17．2nm，表面结构平整致密，紫外一可见波段的平均透射率为93．47％，光学带隙为3．41eV。

关键词：薄膜 azo薄膜磁控溅射微观结构表面形貌紫外一可见透射

热处理和掺铝量对溶胶-凝胶法制备azo薄膜光电性能的影响

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人工晶体学报 2013年第11期42卷 2270-2274,2279页

作者：张丽丽周炳卿张林睿李海泉内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室呼和浩特010022

以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备azo薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对azo薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块电阻进行... 详细信息

以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备azo薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对azo薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块电阻进行测量与表征,并研究了热处理温度和掺铝量对azo薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:azo薄膜的结构和光电性能与不同的热处理温度和掺铝量有关,实验得到了最佳的工艺条件为热处理温度为500℃,热处理时间为60 min,掺Al溶度为1mol%,镀膜层数为8层。

关键词：溶胶凝胶法 azo薄膜光电性能