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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

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日期分布

学科分类号

  • 3 篇 理学
    • 3 篇 物理学
    • 1 篇 化学
  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 弯结
  • 3 篇 30°部分位错
  • 3 篇 分子动力学
  • 1 篇 单空位
  • 1 篇 迁移势垒
  • 1 篇 低温缓冲层
  • 1 篇 位错运动
  • 1 篇 neb
  • 1 篇 si
  • 1 篇 重构缺陷

机构

  • 3 篇 哈尔滨工业大学

作者

  • 3 篇 孟庆元
  • 2 篇 李成祥
  • 2 篇 王超营
  • 2 篇 钟康游
  • 1 篇 杨志伏
  • 1 篇 王云涛
  • 1 篇 杨立军
  • 1 篇 果立成

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=30°部分位错"
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Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟
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金属学报 2009年 第4期45卷 400-404页
作者： 王超营 孟庆元 王云涛 哈尔滨工业大学航天科学与力学系 哈尔滨150001
利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V_1)的相互作用.不同温度、剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V_1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位... 详细信息
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Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟
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计算物理 2008年 第4期25卷 488-492页
作者： 王超营 孟庆元 李成祥 钟康游 杨志伏 哈尔滨工业大学航天科学与力学系 黑龙江哈尔滨150001
首先使用分子动力学方法(MD)得出了左弯结(LK)和右弯结(RK)在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势(TB)的nudged elastic band(NEB)方法计算LK和RK的迁移势垒.由计算结果得出,单个LK或RK的势垒很高,运动速... 详细信息
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位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响
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引用
Journal of Semiconductors 2006年 第11期27卷 1940-1944页
作者： 杨立军 孟庆元 李成祥 钟康游 果立成 哈尔滨工业大学航天科学与力学系 哈尔滨150001 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所 哈尔滨150001
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.... 详细信息
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