Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE INTERACTION BETWEEN 30°PARTIAL DISLOCATION AND MONOVACANCY IN Si作者机构：哈尔滨工业大学航天科学与力学系哈尔滨150001
出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)
年 卷 期：2009年第45卷第4期
页 面：400-404页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 070201[理学-理论物理] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V_1)的相互作用.不同温度、剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V_1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V_1的钉扎继续运动,并且将V_1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V_1和含有V_1的模型中位错芯位置的对比后发现,V_1对滑过它的30°部分位错有明显的加速怍用.
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