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10Gb/s 0.35μm SiGe BiCmOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计

高技术通讯 2010年第7期20卷 750-753页

作者：陈准冯军王远卓东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

采用Jazz 0.35μm SiGe BiCmOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放... 详细信息

采用Jazz 0.35μm SiGe BiCmOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。

关键词：光纤通信前置放大器限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.35μm SiGe BiCmOS工艺共基极

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基于0.35μm CmOS工艺的APD器件仿真分析

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半导体光电 2015年第6期36卷 888-891,908页

作者：王巍杜超雨王婷鲍孝圆陈丽王冠宇王振黄义重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065

提出了一种基于0.35μm CmOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CmOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边... 详细信息

提出了一种基于0.35μm CmOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CmOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CmOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。

关键词： 0.35μm CmOS工艺雪崩光电二极管器件仿真边缘击穿保护环

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0.35μm SiGe BiCmOS隔离深槽表面形貌研究

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微电子学 2016年第3期46卷 407-411页

作者：徐婉静朱坤峰杨永晖任芳黄东梁柳红张霞汪璐崔伟谭开洲钱呈中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆中科渝芯电子有限公司重庆401332 模拟集成电路重点实验室重庆400060

针对0.35μm SiGe BiCmOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_（tp）以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_（tp）=0.7-0.9μm,h_3... 详细信息

针对0.35μm SiGe BiCmOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_（tp）以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_（tp）=0.7-0.9μm,h_3=150-200nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05nA/μm,可用于0.35μm SiGe BiCmOS工艺的隔离。

关键词：深槽隔离表面形貌 0.35μm SiGe BiCmOS SiGe HBT

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0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善

0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善

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作者：刘瑜上海交通大学

学位级别：硕士

0.35μm垂直沟道UmOS功率器件的硅片制造工艺流程中,背金工艺是一步独特和关键的工艺步骤。在传统的背金工艺中,因为超薄硅片的过度研磨,金属附着面的粗糙度不匹配,单层金属蒸镀等问题直接降低了背面金属与硅片背面的粘附性,造成了硅片... 详细信息

0.35μm垂直沟道UmOS功率器件的硅片制造工艺流程中,背金工艺是一步独特和关键的工艺步骤。在传统的背金工艺中,因为超薄硅片的过度研磨,金属附着面的粗糙度不匹配,单层金属蒸镀等问题直接降低了背面金属与硅片背面的粘附性,造成了硅片的早期失效。本文以提高背金工艺的可靠性和良率为课题,就硅片背面粗糙化和背面金属蒸镀工艺进行深入探讨,设置了改善工艺的条件。就背金工艺中产生的缺陷,提出了相应的解决方法。本文首先设置硅片背面粗糙化工艺,分别研究了酸液刻蚀和碱液刻蚀两套执行方案。得出:酸液中,体积配比为7:1的33% H F和70% HNO3再加水10%的腐蚀液中,硅片浸泡15分钟能得到最佳形貌的粗糙面,又具有易控制的刻蚀速度,适合于生产;碱液中,选择30% KOH水溶液,反应15分钟获得的硅片表面形貌较好,蚀坑大小深度适中,分布均允,适合下一步的金属沉积;把这两种配比的反应液体应用于大生产,实验数据证明酸液的解决方案优于碱液。然后设定了硅片背面粗糙化后重要的工艺步骤:背面金属蒸镀。通过多层金属（Ti,Ni,Ag）的系统选择,重新设定了工艺参数:预热到200℃再进行蒸镀的硅片比不预热直接蒸镀的硅片的背面金属层粘附性要好;当加入金属预熔的时间（Ti需1分钟,Ni需7分钟,Ag需3分钟）,可以基本解决造成品质缺陷的金属颗粒的问题。最后总结了硅片背金工艺产生中发生的硅片弯曲,正面色差,背面金属剥落等各种缺陷,分析了形成原因,提出了相应的解决方法。本文构建与完善出了的一套完整硅片制造背金工艺流程。应用这个工艺流程和设定的参数生产的0.35μm硅基垂直沟道功率器件可靠性得到保障,产品合格率大大提高。达到了预期的目标。

关键词： 0.35μm 垂直沟道功率器件 UmOS 背金工艺缺陷

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